Logo GenDocs.ru

Поиск по сайту:  


Загрузка...

Лекции - Системное проектирование производства БИС и СИС - файл SBIS.doc


Лекции - Системное проектирование производства БИС и СИС
скачать (1330.6 kb.)

Доступные файлы (1):

SBIS.doc2128kb.15.02.1997 00:35скачать

содержание
Загрузка...

SBIS.doc

  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14
Реклама MarketGid:
Загрузка...
Министерство образования Республики Беларусь
Учреждение образования “Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники”
Баранов В.В.


Основные теоретические положения
по дисциплине


Системное проектирование производства БИС и СИС

Минск 2007
СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ 3

1. Классификация интегральных микросхем, подготовительные операции, базовые элементы БИС и СИС, особенности производства и применяемых расходных материалов 7

1.1. Классификация интегральных микросхем, особенности их производства 7

1.2. Технология изготовления кремниевых пластин для БИС и СИС 11

1.3. Базовые элементы биполярных БИС и СИС 21

1.4. Базовые элементы МОП БИС 24

1.5 Требования к производству БИС и СИС. Технологический микроклимат 25

1.6. Общие требования к расходным материалам 30

^ 2. Основы проектирования маршрутной технологии кристаллов БИС и СИС. Анализ и синтез технологических маршрутов 33

2.1. Разновидности цифровых БИС и СИС 33

2.2. Основные процессы в производстве БИС и СИС 36

2.3. Сущность матричного метода проектирования технологического маршрута 41

2.4. Анализ матрицы технологического маршрута. Матричное представление маршрутов БИС и СИС 42

2.5. Синтез технологического маршрута кристаллов биполярных БИС 44

2.6. Синтез технологического маршрута кристаллов КМОП БИС 47

^ 3. Моделирование производства кристаллов БИС и СИС. Методы и алгоритмы моделирования базовых технологических операций 49

3.1. Изоляция элементов БИС и СИС, модели процессов термиче­ского окисления 49

3.2. Основы моделирования процессов ионного легирования 54

3.3. Моделирование процессов формирования конфигурации элементов 57

^ 4. Методы и алгоритмы численного физико-топологического моделирования полупроводниковых структур 64

4.1. Физико-топологическое моделирование полупроводниковых структур 64

4.2. Моделирование твёрдотельных структур изделий силовой электроники 65

^ 5. Управление качеством в проектировании и производстве БИС и СИС. Обеспечение параметров и стандартов качества на этапе проектирования 70

5.1. Качество и проектирование производства конкурентоспособной продукции 71

5.2. Основы устойчивого проектирования технологии БИС 71

5.3. Тестирование и контроль БИС и СИС 73

5.4. Методы повышения помехоустойчивости БИС и СИС 74

^ 6. Механизмы деградации элементов структуры БИС и СИС. Факто­ры, влияющие на выход годных кристаллов 77

6.1. Модели деградации элементов структуры БИС 77

6.2. Выявление и отбраковка БИС и СИС со скрытыми дефектами 81

^ 7. Системное проектирование блока микромонтажных операций 86

7.1. Основы маршрутной технологии микромонтажных операций 86

7.2. Особенности сборки БИС на выводной рамке 90

^ 8. Методы автоматизированного проектирования электрической схемы и топологических чертежей БИС 93

9. Основы бездефектного проектирования топологического чертежа БИС 94

10. Модели и библиотеки для синтеза топологического чертежа БИС 98

ВВЕДЕНИЕ



Предмет дисциплины – основы проектирования и производства изде­лий микроэлектроники, прежде всего, больших интегральных схем (БИС) и интегральных микросхем средней степени интеграции (СИС), предназначенных для создания современных радиоэлектронных средств.

Цели дисциплины – формирование у студентов творческого потенциала и необходимого объема знаний в области проектирования и оптимизации технологии производства БИС и СИС.

Задачи изучения дисциплины устанавливаются образовательным стандартом специальности и входящей в него квалификационной характеристикой специалиста. В результате изучения дисциплины студент должен

знать:

  • особенности проектирования и производства конкурентоспособных БИС и СИС;

  • основы матричного проектирования и оптимизации маршрутной технологии БИС и СИС;

  • основы компьютерного моделирования и оптимизации технологии изготовления кри­сталлов БИС и СИС;

  • технические основы тестирования и контроля БИС и СИС;

уметь:

  • анализировать и синтезировать маршрутную технологию БИС и СИС и оценивать эффективность маршрутов;

  • обосновывать выбор контрольных операций в маршрутной технологии БИС и СИС;

  • разрабатывать документацию на маршрутные технологиче­ские процессы;

иметь представление:

  • о перспективных направлениях в развитии технологии и производства изделий микроэлектроники;

  • о современных методах и средствах контроля параметров БИС и СИС;

  • об основных изделиях микроэлектроники, выпускаемых предприятиями электронной промышленности Республики Беларусь.

Программа дисциплины рассчитана на 111 часов учебных занятий, включая 80 часов лекций, 14 часов лабораторных занятий и 17 часов практических занятий по тематике курсового проектирования.
Основные понятия и определения: технология, технологическая операция, технологический процесс, технологический метод и др. Важнейшие этапы становления системного подхода в разработке технологии и подготовке производства изделий электронной техники (ИЭТ). Основные принципы интегральной технологии: групповая обработка, технологическая совместимость элементов, универсальность процессов обработки, унификация подложек, высокая точность поддержания режимов процессов, строгая последовательность технологических операций, высокая чистота производства.
Одним из важнейших направлений научно-технического прогресса в настоящее время является развитие радиоэлектроники и особенно микроэлектроники, позволяющей значительно повысить технический, технологический и организационный уровни производства. Основной элементной базы радиоэлектроники являются современные изделия микроэлектроники (ИС различной степени интеграции), оптоэлектроники и других видов функциональной электроники.

Использование полупроводников в электронике до 1948 г. было весьма ограниченным. С момента изобретения У.Шокли, Дж.Бардином и У.Браттейном в 1948г. полупроводникового транзистора началось освоение электроники полупроводниками. В 1950г. методом выращивания слитка Ge из расплава был создан первый плоскостный транзистор с р-п-р-структурой. Тогда же начал развиваться метод сплавления, а в 1953г. были изготовлены Ge сплавные транзисторы с "тонкой " (~5 мкм) базой. Преобладание Ge на первом этапе развития полупроводниковой электроники было обусловлено тем, что монокристаллы Ge можно было получать проще, чем Si. В 1954г. появились первые Si транзисторы с выращенным р-п-переходом, а в 1958 г. диффузионные транзисторы с мезаструктурой (mesa-плато).

Появление первых транзисторов способствовало усиленному развитию вычислительной техники и радиоэлектронного оборудования самолетов, ракет систем космического управления. Например первой ЭВМ (США) использовалось 18000 электронных ламп, она занимала площадь 140 м2, вес - 30т, потребляла 150 кВт энергии (представьте себе помещение, в котором на каждом 1 м2 стоит по электрокамину мощностью в 1 кВт. Но главное было не в этом. Основной была проблема надежности. Электронные лампы имели срок службы ~500-1000 часов. За это время отказывало ~2% ламп. Если в простейшей отечественной машине "Урал" использовалось ~1000 ламп, то за 1000 часов работы выходило из строя 20, а значит время безотказной работы ЭВМ составляло 50 часов. При 10000 лампах среднее время безотказной работы сокращается до 5 часов, т.е. через каждые 5 часов необходимо было искать отказавшую лампу среди 10000 ламп, заменить ее и тестировать машину. В современных ЭВМ таких элементов должно быть сотни тысяч, а иногда и миллионы.

Проблема надежности еще больше важна для бортовой аппаратуры ракет и самолетов. Кроме этого для последних огромное значение имеют размеры и масса РЭС, а также количество потребляемой энергии. Каждый лишний кг РЭС увеличивает полетную массу самолета на ~5 кг, массу ракеты на 50 кг. Представьте сколько же РЭС, помещается на ракете, если учесть что, стоимость РЭС составляет до 70% стоимости ракеты.

Только появление транзистора с его высокой надежностью, малой потребляемой мощностью и малыми размерами позволило решить задачи неразрешимые с помощью электронных ламп.

Следующим шагом в развитии полупроводниковой электроники стало появление планарного (planar - плоский) процесса в 1959 г. Планарная технология на многие годы обусловила прогресс в производстве полупроводниковых приборов.

Развитие электроники привело к появлению новой ее области - микроэлектроники.

Микроэлектроника - это раздел электроники, охватывающий исследования и разработку качественно нового типа электронных приборов ИМС - и принципов их применения.

ИМС (или просто ИС) - это совокупность взаимосвязанных компонентов (транзисторов, резисторов, диодов), изготовляемая в едином технологическом цикле (т.е. одновременно), на одной и той же несущей конструкции - подложке - и выполняющая определенную функцию преобразования информации.

Развитие современной микроэлектроники и в частности ее базового технологического процесса - планарного - не могло быть возможным без созданного в 1960 г. процесса эпитаксиального наращивания слоев полупроводников требуемой толщины и электрофизических свойств.

В 1959 г. была изготовлена первая ИМС триггера на кристалле Ge, а в 1960 г. появились ИМС на Si, изготовленные по планарной технологии.

В 1958 г. был создан полевой транзистор с управляющим р-п - переходом, в 1962 - 1963 гг. созданы новые ИМС на таких транзисторах. В середине 60-х годов в промышленности появился метод полной имплантации, позволяющий вводить заданное количество примесей в полупроводник на заданную глубину. В начале 70-х годов интенсивно начали использоваться методы ионного и ионно-плазменного распыления, были разработаны процессы электронной литографии и появилась технология "сухой" обработки структур, т.е. без применения жидких травителей и растворителей. В эти же годы были разработаны системы машинного проектирования микросхем. В конце 70-х появились автоматизированные технологические процессы и оборудование, управляемые микро-ЭВМ. В течении последующих десятилетий микроэлектроника и технология микроэлектроники развивались по пути создания новых схемотехнических решений ИМС, разработки современных конструкций, решения вопросов топологии и технологии элементов ИМС.

При этом все эти меры были направлены на уменьшение степени интеграции изделий, которая зависит от:

- размеров элементов изделия (транзистора), топологический размер (проектная норма);

- числа элементов на одном кристалле;

- площади кристалла.

При этом по мере развития микроэлектроники роль различных факторов изменялась. Так с 1960 по 1975 г. степень интеграции возросла в 64 тыс. раз. При этом размеры кристаллов возросли в 20 раз, а плотность размещения элементов в 32 раза.

Изменение схемотехнических решений позволило повысить количество элементов на кристалле в 100 раз. В последние годы повышение степени интеграции в 4 раза происходит за 1-3 года, при этом возможности схемотехники практически исчерпаны, а дальнейший процесс развития возможен благодаря минимизации размеров элементов, изолирующих областей между ними, уменьшение площади, занимающей токопроводящими системами.

Считается, что размеры приборов (транзисторов) могут уменьшаться до тех пор, пока не будут достигнуты минимальные линейные размеры, ограниченные физическими параметрами, положенными в основу работы элементов, или возможностями получения требуемых размеров и соответствующих допусков, определяемых технологическим оборудованием.

Производство БИС и СИС включает определенный ряд последо­вательно и параллельно проводимых обработок - операций при выполне­нии всего комплекса которых получают готовые изделия микроэлектроники (ИМЭ). В технологическом процессе изготовления ИМЭ на различных этапах процесса изделие подвергается воздействию чрезвычайно большого числа факторов. Причем степень влияния этих факторов различна, а их совместное влияние приводит к большому разбросу электрофизических параметров ИМЭ.

Для каждого конкретного процесса (диффузия, эпи­таксия и т.д.) таких факторов может быть несколько десятков, а в течение всего технологического процесса ИМЭ подвергается воздей­ствию несколько сотен технологических факторов (Т, t, Р, ток и т.д.). Поэтому анализировать весь ТП возможно только на основе системного подхода с применением ЭВМ.

Технологический процесс (ТП) - часть производствен­ного процесса, содержащая целенаправленные действия по изменению и (или) определению состояния предмета труда. ТП состоит из технологических операций (ТО).

Технологическая операция - законченная часть техно­логического процесса, выполняемая на одном рабочем месте. ТО включает в себя различное число технологических переходов.

Технологический переход - законченная часть техно­логической операции, выполняемая одними и теми же средствами техно­логического оснащения при постоянных технологических режимах и ус­тановке. Технологический режим - совокупность значений параметров технологического процесса в определенном интервале вре­мени.

Технологическое оборудование - средства технологиче­ского оснащения, в которых для выполнения определенной части технологического процесса размещаются материалы или заготовки, средства воздействия на них, а также технологическая оснастка.

Технологическая оснастка - средства технологического оснащения определенной части технологического процесса.

Приспособление - технологическая оснастка, предна­значенная для установки или направления предмета труда или инстру­мента при выполнении технологической операции.

Материал - исходный предмет труда, используемый для изготовления изделий микроэлектроники.

  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   14



Скачать файл (1330.6 kb.)

Поиск по сайту:  

© gendocs.ru
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации
Рейтинг@Mail.ru