Logo GenDocs.ru

Поиск по сайту:  


Загрузка...

Шпаргалка - Відповіді на екзаменаційні питання по курсу Радіоелектронні пристрої та системи захисту інформації - файл Відповіді.docx


Шпаргалка - Відповіді на екзаменаційні питання по курсу Радіоелектронні пристрої та системи захисту інформації
скачать (3629.4 kb.)

Доступные файлы (1):

Відповіді.docx4134kb.17.05.2011 02:22скачать

содержание
Загрузка...

Відповіді.docx

1   2   3   4
Реклама MarketGid:
Загрузка...



Рис.3.11. Схема дії низькочастотного екрану:

а – циліндрична форма; б – форма паралелепіпеда

У цілому ефективність магнітостатичних екранів невелика і практично однакова у всьому діапазоні частот. Так екран, виготовлений зі спеціального сплаву “Армко”, у якого , при радіусі 0,4 м і товщині екрана 0,01 м забезпечує ефективність 31,5 дБ. Щоб забезпечити дуже високу ефективність екранування, використовують кратне екранування, розташовуючи один екран в середині іншого.

Електростатичне екранування грунтується на замиканні електричного екрана (паразитної ємності ) на шину з нульовим потенціалом (корпусом, “землею”).В реальних конструкціях є отвори для доступу в середину екрана, і оцінити паразитну ємність можна лише експериментально. Якщо отвори і щілини екрана співрозмірні з довжиною електромагнітних хвиль, то через них може проникати електромагнітне поле. Тому отвори і щілини роблять достатньо малими.Металева кришка поліпшує ефективність екранування, але при умові, якщо кришка щільно прилягає до корпусу. Якщо ж між кришкою і корпусом буде проміжок, то така кришка погіршить ефективність екранування.Ефективність екранування електростатичного поля не залежить від товщини екрана та марки металу, з якого виготовлено екран. Тому часто електростатичні екрани виготовляють в вигляді тонкого шару металізованого діелектрика (нижньої сторони металокерамічного корпуса ІС, пластмасового каркаса екрана котушок індуктивності), що з’єднується з землею.

^ 115.Електромагнітне екранування. Принцип дії такого екрану.

Електромагнітне екранування застосовують на частотах більших 3000 Гц. Екрани виготовляють із немагнітних і феромагнітних матеріалів. Спрощено суть екранування зводиться до того, що під дією джерела електромагнітного поля на стороні екрана, що обернена до джерела, виникають заряди, а в його стінках-струми, які утворюють в зовнішньому просторі поля, що по напруженості близькі полю джерела, а по напрямку – протилежні йому (рис. 3.12). У результаті в середині екрана відбувається взаємна компенсація полів, а зовні його – витіснення зовнішнього поля полями вихрових струмів (ефект відбиття). Відбувається поглинання полів за рахунок втрат на виділення тепла при протіканні вихрових струмів по стінках екрану та на перемагнічування, якщо екран виконаний з феромагнітного матеріалу. Хоча сталь на високих частотах дає більший екрануючий ефект, ніж немагнітні матеріали, треба враховувати, що стальний екран може викликати значні втрати через свій питомий опір та гістерезис, що призводить до підвищення температури.


а) б) в)

Рис.3.12. Схема дії високочастотного екрана:

а – зовнішнє поле; б – поле вихрових струмів; в – сумарне поле

Щільність вихрових струмів у металевому екрані зменшується від поверхні в його глибину. Це зменшення тим більше, чим вища частота поля і чим більший питомий опір матеріалу екрана. На низьких частотах, коли товщина екрана менша глибини проникнення, поверхневий ефект можна не враховувати.При виборі матеріалу і товщини екрана треба враховувати не тільки електричні властивості матеріалу, а й його механічну міцність, корозійну стійкість, зручність виготовлення, забезпечення надійного контакту з шиною нульового потенціалу, тепловідвід тощо.У конструкціях екранів небажані щілини і отвори, інакше енергія, яка проникає в середину, викличе збудження струмів витоку на внутрішній стороні екрана.

^ 116. Фізичний зміст комплексного значення хвильового опору матеріалу

екрану.

Хвильови́й о́пір — це опір, який зустрічає електромагнітна хвиля при поширенні уздовж однорідної лінії без віддзеркалення, тобто за умови, що на процес передачі не впливають неузгодженості на кінцях лінії. Він властивий даному типу кабелю, є його характеристикою і залежить лише від його первинних параметрів і частоти струму, що передається.Електромагнітну хвилю можна представити у вигляді двох хвиль: хвилі напруги, відповідної електричної енергії, і хвилі струму, відповідної магнетної енергії. Кількісне співвідношення, що має місце між хвилею напруги і хвилею струму в лінії, і є хвильовий опір кола. При цьому, як випливає з даного вище визначення хвильового опору, необхідно розглядати лише падаючу (рухому вперед) електромагнетну хвилю:

Zв=Uп/Iп.

Якщо в лінії виділити окремо відображену хвилю, то вона, рухаючись до початку лінії, також зустрічатиме опір, рівний хвильовому опору:

Zв=Uв/Iв.

Хвильовий опір Zw розраховується за формулою:

За своєю фізичною природою, що також виходить з приведеної формули, величина Zw не залежить від довжини хвилі і постійна в будь-якій точці кола.

У загальному вигляді хвильовий опір є комплексною величиною і може бути виражений через його дійсну і уявну частини:

^ 117. Хвильовий опір діелектрика (повітря) відносно електричної (ZDe),

магнітної (ZDh) і плоскої (Z0 ) хвиль.

ХЗ що тут має бути(

118---114

119—115

120--116

121-117



1. Визначення інформаційних ресурсів. Мста захисту інформації.

2. Визначення інформаційної безпеки. Технічні засоби промислового шпигунства.

3. Концепція і структура захисту інформації. Організація процесу захисту і інформаційних ресурсів.

4. Ситеми безпеки особистості, підприємства, держави і її складові частини.

5. Системний підхід до захисту інформації. Вимоги до системного підходу.

6. Складові частини системи захисту інформації.

7. Структурна модель системи безпеки підприємства. Задачі, які вирішує система безпеки.

8. Концептуальна модель інформаційної безпеки і її елементи.

9. Характеристика елементів концептуальної моделі інформаційної безпеки.

10. Загрози конфіденційній інформації. Схема реалізації загроз.

11. Класифікація загроз, які діють на інформаційні ресурси підприємства.

12. Модель незаконного оволодіння конфіденційною інформацією. ІЗ.Об'єкти захисту на підприємстві, організації, фірмі. 14.Шляхи оволодіння конфіденційною інформацією.

15. Відомості, що піддягають охороні. Первинні та вторинні демаскуючі ознаки.

16. Система захисту інформації і задачі, які вона вирішує.

17. Оптимальпість системи захисту інформації і порядок її побудови.

18. Основні напрямки забезпечення інформаційної безпеки і коротка їх характеристика.

19. Правовий захист інформації і його характеристика.

20. Визначення конфіденційної інформації. Складові частини конфіденційної інформації.

21. Перелік відомостей, що належать основним типам конфіденційної інформації

22. Організаційний захист інформації і його характеристика.

23. Служба безпеки підприємства і її функції.

24. Інженерно-технічний захист і його основні складові частини.

25. Фізичні засоби захисту об'єктів.

26. Структура систем фізичного захисту.

27. Системи контролю доступу. Атрибуті і персональні методи контролю доступу.

28.Апаратні засоби захисту інформаціїі завдання, які вони вирішують.

29. Класифікація апаратних засобів по функціональному призначенню і технічийм можливостями.

30. Апаратні засоби захисту інформації в ПЕОМ.

31. Програмні засоби захисту ПЕОМ, їх зміст і основні групи.

32. Основні напрямки використання програмного захисту інформації.

33. Захист інформації від НCД в ПЕОМ.

34. Захист інформації в ПЕОМ від копіювання і знищення,

35. Криптографічні засоби захисту інформації.

36. Способи захисту інформації від НСД. Структурна класифікація засобів захисту і інформації.

37. Організаційні заходи захисту інформації від НСД.

З8. Оргапізаційно-технічні заходи захисту інформації від НСД.

39. Технічні заходи захисту інформації від НСД.

40.Пасивні і активні методи захисту інформації від витоку через побічні електромагнітні випромінювання.

41.Екранування від зовнішнього електромагнітні випромінювання.

42. Екранування від внутрішнього електромагнітні випромінювання. 43.Особливості роботи екрану в ближньому полі.

44. Особливості роботи екрану в дальньому полі.

45. Поле магнітного диполю в ближній та дальній зонах.

46. Поле електричного диполю в ближній та дальній зонах.

47. Принципи дії електромагнітного екрану.

48. Ефективність екранування і коефіцієнт екрапування.

49. Основні фізичні моделі екранування, в яких можливий строгий підхід до розрахунку ефективності скрапу.

50. Залежність ефективності екрану від характеру джерела поля.

51. Характеристичний імпеданс середовища полю електричного і магнітного диполів.



52. Просторова залежність імпедансу середовища полю електричного і магнітного диполів в ближній зоні.

53. Електростатичний та магнітостатичний скрани.

54. Екранування низькочастотного магнітного поля і його особливості.

55. Резонансні явища при екрануванні.

56. Оберпсність екрану і умови оберненості.

57. Вплив екрану на джерело електромагнітного поля

58. Екранування однорідним плоским екраном електромагнітного поля далекої завади.

59. Аналогія електромагнітних процесів, що відбуваються при падінні плоскої хвилі па скрап і падінні електромагнітної хвилі па стик двох нескінченно протяжних довгих ліній.

60. Коефіцієн т відбиття і характеристичний опір захисного екрану.

61. Палаюча, відби та і проникаюча електромагнітні хвилі в плоских екранах.

62. Повний характерис тичний опір середовища і характеристичний опір скрапу.

63. Основні матеріали, що застосовуються для будови захисних екранів і їх характеристики.

64. Коефіцієнт екранування захисних скрапів по втратах на поглинання. Глибина

скін-піару екрану.

65. Залежність ефективності екрану по втратах па поглинання від товщини

екрану, матеріалу і частоти.

66. Коефіцієнт скрапування захисних скрапів по втратах на відбиття.

67. Коефіцієнт екранування по втратах на відбиття в ближній і дальній зонах джерела поля.

68. Коефіцієнт скрапування захисних скрапів по втра тах на багаторазове відбиття.

69.Загальна ефективність плоского екрану в дальній зоні джерела електромагнітного випромінювання.

70. Загальна ефективність плоского екрану в ближній зоні джерела електромагнітного випромінювання

71. Порівпяпня різних металів як матеріалів для захисних екранів.

72. Гранична частота екрану і її фізичний зміст.

73. Магнітні і діамагнітні матеріали і їх застосування для будови захисних екранів.

74. Екрануванні електричних полів низьких частот і плоских хвиль: основні складові

коефіцієнта скрапування.

75. Екранування магнітних і електричних полів на промислових частотах для скрапів

розміщених в індукційній зоні.

76. Особливості робо ти магнітних екранів в широкому діапазоні частот.

77. Залежність ефек тивності екранування від величини напруженості джерела

поля, що екранується.

78. Робота екранів в умовах механічної деформації, динамічних ударів та

вібрацій.

79. Вибір матеріалів захисних екранів для роботи на низьких частотах, багатошарові екрани.

80. Втрати па відбиття в діамагні тному феромагнітному екранах заданої товщини. Зміна екранування по відбиттю при зменшенні (збільшенні) товщини екрану.

81. Частотні залежності сумарного коефіцієнта екранування екрану для плоских хвиль.

82.Коефіцієнт екранування захисних екранів по втратах на відбиття в ближньому полі. Загальні міркування.

83. Коефіцієнт екранування по втратах на відбиття в електричному полі.

84. Коефіцієнт екранування по втратах па відбиття в магнітному полі.

85. Визначення частоти джерела електричного випромінювання, починаючи з якої слід застосовувати рівняння по визначенню коефіцієнта екранування по втратах на відбиття для екрана розташованого па віддалі r <<лямда.

86. Визначення частоти джерела магнітного випромінювання, починаючи з якої слід застосовувати рівняння по визначенню коефіцієнта екранування по втратах на відбиття для екрана розташованого на віддалі г «А.

87.Поясніть методику розрахунку ефективності захисного екрану товщиною t, розташованого на віддалі r <<лямда від джерела магнітного випромінювання частотою f.



88. Поясніть методику розрахунку ефективності захисного екрану товщиною t, розташованого па віддалі r <<лямда від джерела електричного випромінювання частотою f.

89. Поясніть методику розрахунку ефективності захисного екрану товщиною t, розташованого па віддалі r >>лямда від джерела магнітного випромінювання частотою Г.

90. Поясніть методику розрахунку ефективності захисного скрапу товщиною t, розташованого па віддалі r >>лямда від джерела електричного випромінювання частотою f.

91. Сумарні втрати плоских захисних екранів па поглинання, відбиття, і багаторазове відбиття.

92. Порівняння ефективності захисних екранів циліндричної, сферичної та плоскої форм.

93. Особливості екранування і конструкції багатошарових захисних екранів.

94. Захист конфіденційної інформації від спостереження і фотографування.

95. Захист конфіденційної інформації від підслуховування.

96. Захист конфіденційної інформації від незаконного підключення.

97. Захист конфіденційної інформації від перехвату.

98.Протидія радіосистемам акустичного підслуховування (радіозакладкам )

99. Основні технічні характеристики сучасних радіозакладок.

100. Спеціальні технічні засоби для виявлення радіозакладок та побічних

електромагнітних випромінювань і наведень.

101.Основні технічні характеристики сучасних спеціальних радіоприймальних пристроїв для виявлення та визначення місцеположення радіозакладок.

102.Індикатори моля- найпростіші пристрої для виявлення радіозакладок, їх основні технічні характеристики.

103.Панорамні радіоприймачі - сучасні пристрої для виявлення радіозакладок, їх основні технічні характеристики.

104. Нелінійні локатори-спеціальні пристрої для виявлення радіозакладок. Принцип дії і основні технічні характеристики.

105. Активні радіоелектронні завади як засіб протидії отриманню конфіденційної інформації. Характеристики деяких засобів постановки активних завад,

106. Забезпечення безпеки телефонних переговорів. Телефонні радіозакладки.

107. Маскіратори мови і скрсмблсри- засоби шифрування мовних сигналів.

108. Основні способи протидії підслуховуванню телефонних переговорів.

109. Протидія лазерному підслуховуванню.

110. Виявлення лазерного підслуховування і захист від нього.

111. Протидія незаконному підключенню до лінії зв'язку. Контактне і безконтактне підключення.

112. Протидія контактному підключенню до телефонної лінії зв'язку.

113. Протидія безконтактному підключенню до телефонної лінії зв'язку.

114. Магнітостатичнс і електростатичне екранування.

115. Електромагнітне скрапування. Принцип дії такого екрану.

116. Фізичний зміст комплексного значення хвильового опору матеріалу екрану.

117. Хвильовий опір діелектрика (повітря) відносно електричної (ZDe), ), магнітної (ZDh ) і плоскої (Z0) хвиль.

118. Магпітостатичпе і електростатичне екранування.

119. Електромагнітне скрапування. Принцип дії такого екрану.

120. Фізичний зміст комплексного значення хвильового опору матеріалу екрану.

121. Хвильовий опір діелектр.(повітря) відносно електор. (ZDe), магнітної (ZDh) і плоскої (Z0) хвиль.

1   2   3   4



Скачать файл (3629.4 kb.)

Поиск по сайту:  

© gendocs.ru
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации
Рейтинг@Mail.ru