Logo GenDocs.ru

Поиск по сайту:  


Загрузка...

Содержание
Коэффициент усиления по напряжению
10.1.3. Усилительный каскад на МДП-транзисторе в схеме с общим истоком
10.2. Повторители напряжения
10.2.2. Истоковый повторитель
10.3. Усилительный дифференциальный каскад
10.4. Источники стабильного тока
10.5. Каскады сдвига потенциальных уровней
10.6. Операционный усилитель
10.6.2. Два основных включения операционного усилителя
Пара в латинском языке против.
12.2. Матричные БИС
12.3. Функциональная электроника -перспективное направление в микроэлектронике
12.4. Элементы функциональной электроники на поверхностных акустических волнах
12.5. Элементы функциональной электроники на цилиндрических магнитных доменах
12.6. Устройство и принцип действия прибора с зарядовой связью
Применение приборов с зарядовой связью.
14.1. Электронно-лучевые приборы
14.1.2. Устройство и принцип действия ЭЛТ с электростатическим управлением
К, вокруг которого располагается управляющий электрод
14.1.3. Электронный прожектор с электростатической фокусировкой
14.1.4. Электронный прожектор с магнитной фокусировкой
14.1.5. Электростатическая отклоняющая система ЭЛТ
14.1.6. Магнитная отклоняющая система ЭЛТ
Чувствительность к магнитному отклонению
14.1.7. Экраны электронно-лучевых трубок
Время послесвечения
14.1.8. Основные типы электронно-лучевых трубок
Цветные кинескопы.
Радиолокационные труб­ки.
Запоминающие трубки (потенциалоскопы)
14.2. Электросветовые приборы
14.3. Оптоэлектронные индикаторы
Элементом отображения информации
14.3.2. Активные индикаторы
Вакуумные накаливаемые индикаторы
Вакуумные люминесцентные индикаторы
Газоразрядные индикаторы
Электролюминесцентные индикаторы
14.3.3. Пассивные индикаторы
Жидкокристаллические инди­каторы.
14.4. Фотоэлектрические приборы
14.4.2. Фотопроводимость полупроводников
14.4.6 P-i-n-фотодиоды и лавинные фотодиоды
14.4.8. Полевые фототранзисторы
R можно добиться лишь в результате увеличения добротности Q
16.2. Замедляющие системы
16.2.2. Параметры замедляющих систем
Сопротивление связи.
Дисперсия фазовой скорости.
16.3. Конструкция и принцип действия ЛБВ
16.4. Элементы линейной теории ЛБВ
16.5. Характеристики и параметры ЛБВ16.5.1. Амплитудная характеристика
16.5.2. Коэффициент усиления
16.5.3. Коэффициент полезного действия
16.5.4. Амплитудно-частотная характеристика
16.5.5. Фазовые и шумовые характеристики
16.6. Тенденции развития электровакуумных приборов с длительным взаимодействием и их применение в технике связи
18.2. Статический режим работы ЛПД. Лавинный пробой p-n-перехода
I обычно меньше расстояния между контактами р
18.3. Принцип действия генератора на ЛПД
Структуры ЛПД.
18.4. Элементы нелинейной теории ЛПД
18.4.1. Процессы в слое умножения
18.4.2. Процессы в области дрейфа
18.4.3. Эквивалентная схема и высокочастотное сопротивление ЛПД
18.4.4. Высокочастотная мощность и КПД автогенератора на ЛПД
18.5. Конструкции, параметры и применение генераторов на ЛПД
18.6. СВЧ-усилители и умножители частоты на ЛПД
18.6.2. Усиление мощности в режиме синхронизации
18.6.3. Умножители частоты на ЛПД
1.2. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
1.3. Модели электронных приборов
Энергетические уровни и квантовые переходы.
Спонтанные переходы
Вынужденные переходы
Соотношения между коэффициентами Эйнштейна.
Релаксационные переходы.
20.2. Ширина спектральной линии
Частотой перехода
Уширение спек­тральной линии из-за столкнове­ний.
Доплеровское уширение спектральной линии.
20.3. Возможность усиления электромагнитного поля в квантовых системах
2.1.2. Метод расчета концентраций
2.1.3. Условие электрической нейтральности
2.1.4. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках
2.1.5. Положение уровня Ферми в полупроводниках
2.1.6. Распределение носителей заряда по энергии
2.2. Неравновесное состояние полупроводника
2.2.2. Плотность тока в полупроводнике
Дрейфовым движением
2.2.3. Уравнение непрерывности
3.2. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии
3.2.3. Энергетическая диаграмма p-n-перехода в состоянии равновесия. Формула для контактной разности потенциалов
3.2.4. Распределение напряженности электрического поля и потенциала в р-n-переходе
3.3. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
3.3.2. Толщина р-n-перехода
3.3.3 Энергетические диаграммы р-n-перехода
3.4. Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода
3.5. Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода
3.5.2. Учет сопротивлений областей
U, которое являлось напряжением на обедненном слое U
3.5.3. Пробой р-n-перехода
Лавинный пробой
Туннельный пробой
Поверхностный пробой (ток утечки).
Тепловой пробой.
3.6. Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме
3.6.2. Барьерная емкость
3.6.3. Диффузионная емкость
3.6.4. Малосигнальная модель p-n-перехода
3.7. Частотные свойства p-n-перехода
3.8. Импульсные свойства р-n-перехода
3.8.2. Переходные процессы при воздействии импульса прямого тока
3.9. Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы
4.2. Выпрямительные диоды
4.3. Стабилитроны и стабисторы
4.4. Универсальные и импульсные диоды
4.6. Туннельные и обращенные диоды
4.7. Шумы полупроводниковых диодов
КБ0. которая протекает в цепи коллектор-база при I
5.1.3. Влияние режимов работы БТ на токи электродов
Бездрейфовый транзистор.
5.2. Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла)
5.3. Статические характеристики биполярных транзисторов
5.3.2. Схема с общим эмиттером
5.3.3. Влияние температуры на статические характеристики БТ
5.3.4. Зависимость коэффициентов передачи тока от электрического режима работы БТ
5.4. Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме
5.5. Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде
5.5.2. Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник
5.6. Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора
5.6.2. Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора
5.7. Частотные свойства биполярного транзистора
5.7.2. Зависимость коэффициента инжекции
ЭБ вызывает изменение напряжения на переходе около постоянного значения U
5.7.3. Зависимость коэффициента переноса от частоты
5.7.4. Частотная зависимость эффективности коллекторного перехода
5.7.5. Частотная зависимость коэффициента передачи тока в схеме с общей базой
5.7.6. Частотная зависимость коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
5.7.7. Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов
5.8. Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе
В установившемся режиме
5.8.2. Статический режим ключевой схемы на биполярном транзисторе
5.8.3. Переходные процессы в простейшем ключе в схеме с ОЭ
5.9. Шумы биполярных транзисторов
6.2. Вольт-амперная характеристика динистора
А. Для снятия этого участка ВАХ внешнее сопротивление может быть равно нулю, так что напряжение на тиристоре равно напряже­н
6.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
6.5. Переходные процессы и динамические параметры
Процесс включения тиристора.
Время выключения
7.2. Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом
Стокозатворные (передаточные) характеристики.
7.3. Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник
7.4. Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник
7.4.2. Физические процессы в идеализированной МДП-структуре.
7.4.3. Особенности реальной МДП-структуры
7.5. Полевой транзистор с изолированным затвором
7.5.2. МДП-транзистор со встроенным каналом
7.5.3. Параметры МДП-транзисторов
Крутизна стокозатворной характеристики
Дифференциальное (внутреннее) сопротивление
Напряжение пробоя подзатворного диэлектрика
Собственное быстродействие
Влияние температуры.
7.6. Электрические модели полевых транзисторов
7.6.2. Нелинейная динамическая модель полевого транзистора с управляющим переходом
7.6.3. Малосигнальная модель полевого транзистора с управляющим р-n-переходом
7.6.4. Нелинейная динамическая модель МДП-транзистора
7.6.5. Малосигнальная модель МДП-транзистора
7.7. Шумы полевых транзисторов
Шум тока утечки затвора.
Генерационно-рекомбинированный шум.
7.7.2. Шумы МДП-транзисторов
Интегральная схема
N содержащихся в ней эле­ментов и простых компонентов, является степень интеграции
8.2. Типовые технологические процессы и операции создания полупроводниковых ИС
Метод Чохральского.
8.2.3. Термическое окисление
Диффузионное легиро­вание
Ионное легирование
Изотропное травление
8.2.7. Нанесение тонких пленок
Термическое вакуумное напыление.
Распыление ионной бомбардировкой.
Химическое осаждение из газовой фазы.
Химическое осаждение из водных растворов.
8.2.8. Пленочные проводниковые соединения и контакты
8.2.9. Разделение пластин на кристаллы и сборочные операции
8.3. Способы электрической изоляции элементов полупроводниковых ИС
8.3.2. Изоляция p-n-переходом
8.3.3. Изоляция коллекторной диффузией
8.3.4. Изоляция диэлектрическими пленками
8.3.5. Совместная изоляция p-n-переходом и диэлектрическими пленками
8.3.6. Интегральные схемы на непроводящих подложках

Поиск по сайту:  

© gendocs.ru
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации
Рейтинг@Mail.ru