Logo GenDocs.ru

Поиск по сайту:  


Загрузка...

Наноэлектроника - файл nanoelectronics.doc


Загрузка...
Наноэлектроника
скачать (1264.1 kb.)

Доступные файлы (1):

nanoelectronics.doc1995kb.22.02.2003 03:54скачать

nanoelectronics.doc

Реклама MarketGid:
Загрузка...
Санкт-Петербургский

государственный политехнический

университет

__________________________________________________


Реферат по теме


«Наноэлектроника»


Выполнил студент 3-го курса,

кафедры физики полупроводников и

наноэлектроники,

Гордиенко А.Н.
2002

Содержание



Введение ………………………………………………………………………………………………………………………... 1

Принцип квантования и условия наблюдения квантовых размерных эффектов ………………………………………….. 1

Структуры с двумерным электронным газом ………………………………………………………………………………... 2

Структуры с одномерным электронным газом (квантовые нити) ………………………………………………………….. 2

Структуры с нуль-мерным электронным газом (квантовые точки) …………………………………………………………3

Структуры с вертикальным переносом ………………………………………………………………………………………. 3
^

Технология квантово-размерных структур


Метод молекулярно-лучевой эпитаксии ……………………………………………………………………………. 4

Применение квантово-размерных структур в приборах наноэлектроники

Лазеры с квантовыми ямами и точками …………………………………………………………………………….. 5

Фотоприемники на квантовых ямах ………………………………………………………………………………… 5

Квантово-точечные клеточные автоматы и беспроводная электронная логика …………………………………. 7


Использованная литература …………………………………………………………………………………………………... 8

Введение
До недавнего времени физики и инженеры электронщики в своих расчетах использовали только законы классической физики. И это было вполне оправдано, т.к., например, электроны в кинескопе движутся так же, как классические материальные точки. Таких примеров можно привести очень много. Однако ситуация меняется. Интегральные схемы становятся все более сложными и объединяют в себе все большее количество элементов, следовательно, должны уменьшаться размеры этих элементов. Эти размеры достигли долей микрона. В этот момент описание на языке классической физики теряет всякий смысл и создатели вынуждены обратиться к квантовой механике.

В классической физике электроны, как и все другие частицы, движутся по траекториям. В любом случае, задав начальную координату и импульс, можно вычислить траекторию.

В квантовой механике картина движения совершенно иная. Эта теория не описывает движение по траектории. Здесь накладывается ограничение на точность, с которой могут быть заданы начальная координата и импульс электрона. Если координата электрона известна с точностью x, то его импульс можно определить не точнее, чем p  h/2x. Это соотношение неопределенностей Гейзенберга. Из этого соотношения видно, что очень точное задание координаты электрона приводит к большой неопределенности импульса и, значит, направление, по которому будет двигаться электрон, предвидеть невозможно.

Физики уже накопили большой опыт в разработке приборов, действие которых основано на квантовомеханических принципах. Укладывая атомы с точностью до одного-двух слоев, можно создавать искусственные кристаллы, молекулы и атомы с заданными свойствами. Такие полупроводниковые структуры имеют размеры порядка нескольких нанометров. Можно выделить несколько основных типов микроструктур: квантовые ямы, нити, точки, сверхрешетки. О них в той или иной степени и пойдет речь.
^ Принцип квантования и условия наблюдения квантовых размерных эффектов
Как должно быть известно читателю, электрон обладает корпускулярно-волновым дуализмом. Следовательно, он может испытывать интерференцию, проникать через узкие щели и барьеры, но вместе с тем сохраняет признаки обычной частицы. Он имеет строго определенную массу и заряд. Кроме того, электрон, подобно классической частице, обладает импульсом и энергией.

Необходимо сказать о главной особенности квантовомеханического описания. Если в некото­рый момент времени частица находилась в ограни­ченной области пространства, то в будущем невоз­можно достоверно предсказать ее местоположение. Можно говорить о распределении частицы в прост­ранстве и о вероятности этого распределения. Ве­личина, описывающая это распределение, получи­ла название -функции или волновой функции. Она не описывает ус­редненное поведение большого числа электронов или одного электрона, заряд которого "размазан" по всему пространству, она дает вероятностное, статистическое описание отдельного электрона. Интенсивность этой функции, а точнее, ее квадрат ||2 определяет вероятность обнаружить частицу в той или иной области, точнее, вероятность обнару­жить частицу в интервале x равна ||2x. Волновая функция - это основная характеристика квантовой системы. Она содержит полную информацию об электронах или других частицах в атоме, молекуле, кристалле.

Необходимо рассмотреть одно из проявлений чисто квантовой природы электрона. Известно, что волны различной физической природы, возбуждаемые в ограниченном объеме, имеют строго определенную длину волны и частоту. В том случае, когда движение электрона происходит в огра­ниченной области, его энергия имеет строго опре­деленные, дискретные значения. Говорят, что спектр энергий квантован. Если электрон заперт в атоме, мо­лекуле или любой потенциальной яме, то волновая функция  представляет стоячую волну. Если речь идет о прямоугольной потенциальной яме, которая изображена на рисунке, то по своей форме волна будет такой же, как и в случае натянутой струны, однако, во-первых, природа волны здесь иная, а во-вторых, дискретным в этом случае будет не спектр частот, а спектр энергий. Стоячие волны, описывающие элек­тронные состояния в яме, — это синусоиды, обра­щающиеся в точках x=0 и x=a в нуль. n(x) = ((2/a))sin(xn/a) , где n – номер квантового состояния, a – размер ямы. На данном рисунке изображены три такие функции, соответствующие n = 1, 2, 3, ... Видно, что электронная плотность в яме распределяется неравномерно, есть максимумы и минимумы плотности вероятности. Также следует, что длины волн -функций, описывающих электронные состояния с различными n, удовлетворяют условиям n/2 = a/n, то есть в яме укладывается целое число полуволн.

Для наблюдения квантовых размерных эффектов расстояние между энергетическими уровнями должно быть достаточно велико. В первую очередь оно должно значительно превосходить тепловую энергию носителей: En+1 – En >> kT, иначе наблюдение эффектов будет невозможным. Если электронный газ вырожден и характеризуется энергией Ферми , то желательно также выполнение условия En+1 – En  , при этом первое условие выполняется автоматически, т.к. kT << ; иначе квантовые эффекты имеют весьма малую относительную величину. Существуют и другие условия, связанные с рассеянием носителей на примесях, фононах и др.
^ Структуры с двумерным электронным газом
Одним из примеров таких структур являются тонкие пленки. В такой структуре одно из направлений (z) очень мало, следовательно, энергетический спектр в этом направлении можно описать формулой En = (hn/a)2/8m, где m – эффективная масса электрона, a – толщина пленки, т.к. в данном направлении образуется потенциальная яма. В оставшихся двух направлениях электроны могу передвигаться свободно. Образованную потенциальную яму надо считать бесконечно глубокой, следовательно, En должны быть малы по сравнению с действительной глубиной ямы Ф. Данное условие приводит к толщине пленки порядка нанометров, что соответствует нескольким межатомным расстояниям. Полная энергия носителей в квантово-размерной пленке носит смешанный дискретно-непрерывный спектр: E = En +(px2 + py2)/2m, где px и py – компоненты импульса в плоскости слоя.



Производство таких тонких пленок в явном виде весьма проблематично, и поэтому наблюдения в основном проводят на МДП-структурах, где в качестве тонкой пленки выступает диэлектрик. Но в настоящее время эффекты наблюдают на гетероструктурах (контакты между п/п с различной шириной запрещенной зоны). На таком контакте края энергетических зон испытывают скачки, ограничивающие движение носителей и играющие роль стенок квантовой ямы.


^ Структуры с одномерным электронным газом (квантовые нити)
В такой структуре два направления (y и z) очень малы, следовательно, энергетический спектр в каждом направлении можно описать формулой En = (hn/a)2/8m, где a – толщина пленки в данном направлении, т.к. в этом направлении образуется потенциальная яма. В оставшемся направлении (x) электроны могу передвигаться свободно. Образованную потенциальную яму надо считать бесконечно глубокой, следовательно, En должны быть малы по сравнению с действительной глубиной ямы Ф. Данное условие приводит к толщине нити порядка нанометров. Полная энергия носителей в квантово-размерной нити, аналогично тонким пленкам, носит смешанный дискретно-непрерывный спектр: E = Enm + px 2/2m, где px – компонента импульса в направлении нити (x).


^ Структуры с нуль-мерным электронным газом (квантовые точки)
В такой структуре все направления (x,y и z) очень малы, следовательно, энергетический спектр в каждом направлении можно описать формулой En = (hn/a)2/8m, где a – толщина пленки в данном направлении, т.к. в этом направлении образуется потенциальная яма. Образованную потенциальную яму надо считать бесконечно глубокой, следовательно, En должны быть малы по сравнению с действительной глубиной ямы Ф. Данное условие приводит к размеру точки порядка нанометров. Полная энергия носителей квантовой точки также носит смешанный дискретно-непрерывный спектр: E = Enml. Такие структуры особенно интересны тем, что их свойства аналогичны свойствам дискретного атома, поэтому их иногда называют искусственными атомами.

^

Структуры с вертикальным переносом



Реальные экспериментальные образцы содержат большое количество одинаковых или почти одинаковых квантовых объектов. Как правило, это не меняет физической картины, т.к. вклады от всех объектов просто суммируются. Ситуация резко меняется, если отдельные объекты находятся так близко друг к другу, что носители заряда могут туннелировать между ними.

Рассмотрим систему параллельных квантовых ям, показанную на рисунке 1, с очень тонкими (порядка единиц нанометров) широкозонными разделяющими слоями. При этом ямы уже не являются независимыми и могут

Р
ис. 1
обмениваться электронами за счет туннелирования через широкозонный слой. Подобные структуры принято называть структурами с вертикальным переносом. Рисунок отвечает системе квантовых ям, но, подвергнув эту систему литографической процедуре, можно иметь систему квантовых нитей или точек, между которыми возможен вертикальный перенос. Подобные структуры служат основой для ряда приборов наноэлектроники.

Если число параллельных слоев в структурах с вертикальным переносом велико (как минимум, несколько десятков), мы имеем искусственную периодическую структуру, или сверхрешетку. Наиболее важным свойством сверхрешеток, определяющим все их уникальные физические свойства, является видоизменение их энергетического спектра по сравнению со спектром одиночной квантовой ямы. Из рисунка видно, что на электроны и дырки в сверхрешетке действует дополнительный прямоугольный потенциал V(z), связан­ный с разрывами зон на гетерограницах. Этот потенциал является периодическим, как и потенциал кристаллической решетки, и к нему применимы все основные выводы о свойствах уравнения Шредингера с периодическим потенциалом.

Движение носителей вдоль оси z (ось сверхрешетки) может быть описано с помощью квазиимпульса pz, причем энергия является пе­риодической функцией с периодом h/(а + b). Энергетический спектр носит зонный характер и представляет собой чередование разрешенных и запрещенных зон. Эти зоны есть результат дробления исходной зоны проводимости (для электронов) и валент­ной зоны (для дырок), поэтому их принято называть минизонами.

Между энергетическими спектрами сверхрешетки и обычной кристаллической решетки существуют большие различия.

Во-первых, зонным спектром характеризуется лишь дви­жение вдоль оси сверхрешетки z. В плоскости слоев носители дви­жутся как свободные и полный спектр сверхрешетки резко анизотропен, так же как в рассмотренных выше двумерных системах.

Во-вторых, благодаря тому, что период сверхрешетки намного больше, чем параметр решетки кристалла, характерный масштаб энергий и импульсов в спектре оказывается значительно мень­шим. Характерные ширины минизон измеряются десятыми или сотыми долями электронвольта, что сравнимо с тепловой энергией электрона. Поэтому движение по минизоне нельзя опи­сать постоянной эффективной массой. Динамика в направлении оси сверхрешетки носит сложный характер, что служит причиной ряда необычных эффектов.


^

Технология квантово-размерных структур




Метод молекулярно-лучевой эпитаксии



Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) представляет собой усовершенствованную разновидность методики термического напыления в условиях сверхвысокого вакуума. Давление оста­точных газов в вакуумной камере поддерживается ниже 10-8 Па (~10-10 мм рт. ст.).

Потоки атомов или молекул образуются за счет испарения жид­ких или сублимации твердых материалов, которые располагаются в источнике — эффузионной ячейке. Эффузионная ячейка представляет собой цилиндрический либо конический тигель диамет­ром 1—2 см и длиной 5—10 см. На выходе ячейка имеет круглое отверстие — диафрагму диаметром 5—8 мм. Для изготовления тиг­ля используют пиролитический графит высокой чистоты либо ни­трид бора ВN.

Потоки атомов (или молекул) необходимых элементов направ­ляются на подложку и осаждаются там с образованием вещества требуемого состава. Схематическое изображение основных узлов установки МЛЭ приведено на рисунке. Количество эффузионных ячеек зависит от состава пленки и наличия легирующих примесей. Для выращивания элементарных полупроводников (Si, Gе) требуется один источник основного материала и источники легирующей примеси n- и р-типа. В случае сложных полупроводников (двой­ных, тройных соединений) требуется отдельный источник для ис­парения каждого компонента пленки. Температура эффузионной ячейки определяет величину потока частиц, поступающих на подложку, и тщательно контролируется. Управление составом основного материала и легирующих примесей осуществляется с помощью заслонок, перекрывающих тот или иной поток. Если в ходе выращивания структуры требуется резко менять концентра­цию одной и той же примеси, то используют несколько источни­ков этой примеси при разной температуре эффузионной ячейки. Однородность состава пленки по площади и ее кристаллическая структура определяются однородностью молекулярных пучков. В некоторых случаях для повышения однородности подложка с ра­стущей пленкой постоянно вращается.

Р
ис.

1-подложка; 2-растущая пленка;

3-заслонки; 4-эффузионные ячейки.
Выращивание высококачественных эпитаксиальных слоев методом МЛЭ требует тщательности в подго­товке подложек, поскольку в методе МЛЭ, как правило, не ис­пользуется очистка поверхности в самой камере роста, за исключе­нием удаления окисных слоев.

Эпитаксиальный рост слоев полупроводниковых соединений включает ряд последовательных событий, важнейшими из которых являются:

1) адсорбция составляющих вещество атомов и молекул;

2) миграция и диссоциация адсорбированных частиц;

3) пристраивание составляющих атомов к подложке, приводя­щее к зародышеобразованию и росту слоя.

Растущая тонкая пленка имеет кристаллографическую структу­ру, определяемую подложкой.

Атомы, попадающие на подложку, адсорбируются на поверхности. На первом этапе это представляет собой адсорбцию за счет слабых ван-дер-ваальсовых и (или) элект­ростатических сил — этап физсорбции. На втором этапе молекулы вещества переходят в хемосорбированное состояние, при котором происходит электронный перенос, т. е. химическая реакция между атомами поверхности и атомами вновь поступившего вещества. Энергия связи при химической адсорбции больше, чем при физи­ческой.


С
уществуют и другие технологии, такие как газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений и нанолитография.


^ Применение квантово-размерных структур в приборах наноэлектроники
Лазеры с квантовыми ямами и точками
Самым распространенным типом полупроводникового лазера является лазер на двойной гетероструктуре, где активная область представляет собой тонкий слой узкозонного полупроводника между двумя широкозонными. При достаточно малой толщине активной области она начинает вести себя как квантовая яма и квантование энергетического спектра в ней существенно меняет свойства лазеров.

Основное влияние на свойства лазеров оказывает изменение плотности состояний, происходящее под влиянием размерного квантования. Если в массивном полупроводнике в непосредственной близости от края зоны эта величина мала, то в квантово-размерной системе она не убывает вблизи края, оставаясь равной 4πm/πh2. Создание лазеров с квантово-размерной активной областью позволило получить непрерывную генерацию при комнатной температуре и в дальнейшем снизить пороговый ток инжекционного лазера до величин ~ 50 А/см2.

Благодаря иной энергетической зависимости плотности состояний меняется не только величина порогового тока, но и его температурная зависимость. Она становится более слабой, в силу чего непрерывную генерацию удается получить не только при комнатной температуре, но и при температурах на много десятков градусов выше.

Другой важной особенностью лазеров на квантовых ямах является возможность их частотной перестройки. Минимальная энергия излучаемых световых квантов равна h = Eg + E1e + E1h. Она меняется при изменении a (ширина квантовой ямы, и т.п.), т. е. путем изменения ширины квантовой ямы можно осуществлять перестройку частоты генерации, сдвигая ее в коротковолновую сторону по сравнению с лазерами с широкой (классической) активной областью.

В квантовых точках энергетический спектр меняется еще более радикально, чем в квантовых ямах. Плотность состояний имеет δ-образный вид, и в результате отсутствуют состояния, которые не принимают участия в усилении оптического излучения, но содержат электроны. Это уменьшает потери энергии и как следствие уменьшает пороговый ток. Лазеры могут содержать одну или (для увеличения оптического усиления) несколько плоскостей, заполненных квантовыми точками. Согласно теоретическим оценкам, диодные лазеры с активной средой из квантовых точек должны обладать значительно лучшими свойствами по сравнению с лазерами на квантовых ямах, а именно: существенно большим коэффициентом усиления, меньшей пороговой плотностью тока, полной невосприимчивостью к температуре решетки, лучшими динамическими характеристиками и большими возможностями для контроля за энергией кванта излучения.


^ Фотоприемники на квантовых ямах
Процессы оптической ионизации квантовых ям могут использоваться для создания новых типов приемников инфракрасного излучения. Принцип приемника весьма прост: выброс носителей в зону проводимости широкозонного полупроводника (потенциального барьера) увеличивает проводимость в направлении, перпендикулярном слоям гетероструктуры.

По своему действию такой приемник напоминает примесный фоторезистор, где в роли центров выступают квантовые ямы. Поэтому в качестве времени жизни неравновесных носителей выступает характерное время захвата в квантовую яму τq. По сравнению с обычным временем жизни, связанным с захватом на рекомбинационные центры, τq обладает двумя важными отличиями.

Во-первых, τq значительно (на несколько порядков) меньше времени захвата на центры. Причина в том, что акт захвата связан с необходимостью передачи решетке от носителя достаточно большой энергии, равной энергии связи центра или же величине ΔE при захвате в квантовую яму. Наиболее эффективный механизм передачи энергии — это испускание оптических фотонов с энергией h0/2. Однако энергия связи центров отнюдь не совпадает с h0/2, и потому такой процесс невозможен. Электрон должен отдавать энергию в ходе значительно более медленного каскадного процесса испускания многих акустических фононов. В случае квантовой ямы наличие непрерывного спектра движения в плоскости ямы существенно меняет ситуацию. Становится возможным переход на связанное состояние в яме при испускании оптического фонона с одновременной передачей оставшейся избыточной энергии в движение в плоскости ямы (рис. 1). Если исходный электрон имел энергию, близкую к краю зоны в широкозонном материале, то из рис. 1 видно, что испускаемый фонон должен иметь достаточно большой импульс:

q = [2m (E - E1 - h0/2)]1/2

в плоскости квантовой ямы. Значительно большая величина взаимодействия электронов с оптическими фононами, нежели с акустическими, определяет малость τ? по сравнению со временем захвата из центра.

Во-вторых, τq немонотонным, осциллирующим образом зависит от параметров ямы. Это связано со свойствами волновой функции электронов в делокализованных состояниях над квантовой ямой ψ£. Если яма не является резонансной, то амплитуда этой волновой функции в непосредственной окрестности ямы при малой энергии электрона весьма мала. Собственно, τq будет относительно велико. Для резонансных квантовых ям вероятность захвата возрастает, т. е. τq падает.

Фотопроводимость рассматриваемой структуры, так же как и обычного фоторезистора, определяется произведением трех факторов: скорости оптической генерации, которая в свою очередь пропорциональна коэффициенту поглощения , времени жизни в делокализованном состоянии τq и эффективной подвижности в нем эф, которая, очевидно, должна быть пропорциональна квантово-механическому коэффициенту прохождения электрона над квантовой ямой. Первый и третий факторы максимальны для резонансных квантовых ям, а τq, напротив, минимально для них. Однако совокупное действие всех факторов оказывается таковым, что фотоприемники на квантовых ямах будут иметь лучшие параметры в случае резонансных ям.


Рис. 1. Процесс захвата неравновесного электрона в квантовую яму с испусканием оптического фонона.
Для самой распространенной гетеросистемы GaAs-AlxGa1-x с x = 0. 2—0. 25 условие резонанса выполняется для ям с толщиной, кратной 40—45 А. Если а = 40—45 А, то диапазон фоточувствительности структуры лежит в области длин волн порядка 8 мкм, соответствующей одному из окон атмосферной прозрачности и потому очень важной для практических применений. Приемники на основе квантовых ям могут составить конкуренцию фоточувствительным структурам на основе твердых растворов CdHgTe — важнейшему типу приемников для данного спектрального диапазона. Основным достоинством структур на квантовых ямах является большая стабильность и меньший разброс параметров, что особенно важно для матричных фоточувствительных структур.

Путем сравнительно небольших изменений состава широкозонных слоев и толщины ямы можно менять положение максимума и ширину полосы фоточувствительности. Последнее обстоятельство связано с тем, что по мере нарушения точного условия резонанса спектр фотоионизации квантовой ямы становится более плавным и имеет менее резкий максимум.



Рис. 2. Способы ввода излучения в фотоприемник с квантовыми ямами.

а — через скошенный торец подложки, б — с помощью дифракционной решетки 1 — подложка, 2 — фоточувствительная структура с квантовыми ямами, 3 —дифракционная решетка.
В связи с тем что оптическая ионизация квантовых ям может вызываться лишь светом, поляризованным по нормали к квантовым слоям, описанные фотоприемники должны содержать специальные приспособления, поляризующие падающий свет требуемым образом. Есть два основных способа сделать это. Свет может направляться в фоточувствительную структуру под углом через скошенный торец подложки (рис. 2 a). В другом варианте свет проходит через подложку по нормали, а должную поляризацию приобретает после дифракции на решетке, специально нанесенной на верхнюю поверхность структуры (рис. 2 б).

Возможно альтернативное решение проблемы поляризации, позволяющее избежать описанных выше конструкционных усложнений. Речь идет о выращивании квантовых структур из полупроводников с анизотропным энергетическим спектром. При наличии анизотропии электрическое поле нормально падающей световой волны, лежащее в плоскости слоев, придает электронам импульс под некоторым углом к этой плоскости. С позиций квантовой механики это означает возможность переходов между различными квантово-размерными уровнями или между уровнем и континуумом состояний над квантовой ямой, что и требуется для работы приемника. На практике для реализации этой идеи чаще всего используют гетероструктуры на основе той же, наиболее освоенной технологически, системы GaAs-AlxGa1-xAs, но имеющие не n-, а p-тип легирования. При этом сложный характер энергетического спектра валентной зоны обеспечивает фоточувствительность при нормальном падении света.

^

Квантово-точечные клеточные автоматы и беспроводная электронная логика



Потребности в разработке логических устройств для нано-компьютеров с очень высокой плотностью логических элементов и с максимально возможно низким потреблением энергии на одно переключение привели к предложениям использовать в логических элементах проводящие островки очень малого размера — квантовые точки. В таких приборах для реализации вычислений логических булевых функций используют массивы связанных взаимодействующих квантовых точек. Эти новые приборы называют квантово-точечными клеточными автоматами (QCA — Quantum Cellular Automata).

Основу прибора составляет ячейка, состоящая из четырех или пяти квантовых точек. На рис. 1 представлена ячейка из пяти квантовых точек: четыре точки расположены в углах квадрата, а одна — в его центре. В ячейку при помощи внешнего напряжения через дополнительный электрод вводятся два избыточных электрона, и ячейка приобретает электрический заряд. Квантовые точки в ячейке располагаются таким образом, что возможно туннелирование только через центральную точку. Из-за электростатического отталкивания между избыточными электронами вся система будет иметь минимальную энергию только в том случае, если электроны расположатся как можно дальше друг от друга, т. е. в углах квадрата, соединенных диагональю. Поскольку таких возможных положений всего два, то система имеет всего два устойчивых состояния (две поляризации), и, следовательно, одно из этих состояний можно считать логической единицей («1»), а второе — логическим нулем («0»). При переходе системы из одного устойчивого состояния в другое меняются поляризация системы и распределение электрических полей вокруг ячейки. С помощью дополнительных электродов, связанных с ячейкой емкостной связью, можно навязать ячейке необходимое состояние и перевести ее в состояние «1» или «О». Если рядом с первой ячейкой расположить вторую (в которой также находится два дополнительных электрона), то электростатическое поле первой ячейки заставит электроны располагаться так, чтобы обеспечить минимум электростатической энергии всей системы (рис. 1). Составляя комбинации из расположенных разным образом ячеек, можно реализовать разнообразные логические функции и выполнить необходимые логические преобразования и вычисления. На рис. 2 представлен пример комбинации ячеек, при которой состояние на выходе определяется большинством состояний на входе (логическая функция «Majority»). Предложены разнообразные комбинации ячеек для реализации логических операций. На основе таких элементов возможно создание нанокомпьютера. Важно отметить, что взаимное расположение ячеек обеспечивает передачу логического сигнала без перемещения зарядов вдоль цепочки — в бестоковом режиме, только за счет передачи вдоль цепочки состояния поляризации.



„1" „0" „1" „1"

Состояние с высокой энергией Состояние с низкой энергией
Рис. 1. Различные конфигурации ячеек квантово-точечных автоматов.
Преимущества логических устройств на основе квантово-точечных клеточных автоматов состоят в том, что по сравнению с аналогичными устройствами на основе полевых транзисторов требуется значительно меньший объем активной области. Например, полный сумматор на основе клеточных автоматов с размером точки 20 нм можно расположить на площади около 1 мкм2, в то время как такую же площадь занимает всего лишь один полевой транзистор. Для построения такого же сумматора на основе полевых транзисторов требуется примерно 40 транзисторов. Если еще учесть области коммутации транзисторов между собой, а они, как известно, занимают объем, сравнимый или даже превосходящий объем, занятый активными приборами, то преимущества использования клеточных автоматов становятся очевидными.

Принципиальная возможность функционирования логических элементов на основе клеточных автоматов была продемонстрирована при Т = 15 мК на примере ячейки, изготовленной при помощи стандартной электронно-лучевой литографии из алюминиевых островков на поверхности окисленной кремниевой пластины. Площадь прибора составляла величину ~50 X 50 нм2.



Рис. 2. Комбинации ячеек квантово-точечного автомата, при которых состояние на выходе определяется большинством состояний на входе.
Вычислительный процесс в приборах на основе клеточных автоматов осуществляется при переходе всей совокупности ячеек в состояние с минимальной энергией — в основное состояние. Поскольку сложные вычислительные устройства должны содержать большое число ячеек, то состояние с минимальной энергией можно получить разными способами. Это может приводить к ошибкам в вычислениях. Кроме того, такие системы чувствительны к внешним воздействиям и поэтому требуют строгого контроля внешних условий. При повышении температуры вычислительный процесс может быть разрушен. Для ячеек, у которых размер одной квантовой точки —20 нм, изменение энергии при перезарядке точки составляет величину ~1 мэВ (примерно 1/20 kT при комнатной температуре). Так же как и для одноэлектронного транзистора, рабочую температуру нужно повышать за счет уменьшения размеров ячейки (и соответственно каждой квантовой точки). Существует еще одна проблема, которая должна быть решена для успешной работы устройств на основе клеточных автоматов. Она состоит в том, что поскольку электростатическое поле ячейки влияет на соседние ячейки как в направлении выхода устройства, так и в направлении входа, то из-за случайных воздействий возможно распространение сигнала не только от входа к выходу, но и наоборот. Для устранения этого недостатка предложены устройства на основе квантовых точек, у которых направление передачи сигнала определяется внешним электрическим полем. Практическое изготовление устройств на основе клеточных автоматов находится в самой начальной стадии и требует разрешения целого ряда проблем, в основном технологических.

Использованная литература:

  • М. Херман, «Полупроводниковые сверхрешетки».

  • А.Я. Шик, Л.Г. Бакуева, С.Ф. Мусихин, С.А. Рыков, «Физика низкоразмерных систем».

  • В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный, В.А. Гридчин, «Основы наноэлектроники».

  • В.Я. Демиховский, «Квантовые ямы, нити, точки. Что это такое?», соросовский образовательный журнал, №5, 1997



Скачать файл (1264.1 kb.)

Поиск по сайту:  

© gendocs.ru
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации
Рейтинг@Mail.ru