Logo GenDocs.ru

Поиск по сайту:  


Загрузка...

Лекции - Технология изделий интегральной техники - файл Конспект лекций_«Технология изделий интегральной техники».doc


Загрузка...
Лекции - Технология изделий интегральной техники
скачать (17097.2 kb.)

Доступные файлы (1):

Конспект лекций_«Технология изделий интегральной техники».doc18720kb.21.06.2006 09:24скачать

Конспект лекций_«Технология изделий интегральной техники».doc

1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14
Реклама MarketGid:
Загрузка...

6.9. Металлизация



В полупроводниковых ИС процесс металлизации призван обеспечить омические контакты со слоями полупроводника, а также рисунок межсоединений и контактных площадок.

Основным материалом для металлизации служит алюминий. Он оказался оптимальным в силу следующих положительных качеств: малое удельное сопротивление ( Ом∙см); хорошая адгезия к окислу (металлизация осуществляется по окислу); возможность сварных контактов с алюминиевой к золотой проволокой (при осуществлении внешних выводов); отсутствие коррозии; низкая стоимость и др.

При создании металлической разводки сначала на всю поверхность ИС напыляют сплошную пленку алюминия толщиной около 1 мкм (рис. 6.18). Эта пленка контактирует: со слоями кремния в специально сделанных (с помощью предыдущей фотолитографии) окнах в окисле (1, 2 и 3 на рис. 6.18).





Рис. 6.18. Получение металлической разводки методом фотолитографии


Основная же часть алюминиевой пленки лежит на поверхности окисла. Покрывая пленку алюминия фоторезистом, экспонируя его через соответствующий фотошаблон и проявляя, получают фоторезистную маску, которая защищает будущие полоски металлизации и контактные площадки (КП) от травителя. После вытравливания алюминия с незащищенных участков к удаления фоторезиста остается запланированная металлическая разводка (на рис. 6.18 ее рельеф, прилегающий к контактам 1, 2, 8, заштрихован).

Ширина полосок в обычных ИС составляет 10–15 мкм, а в больших ИС до 5 мкм и менее. Погонное сопротивление полоски шириной 10 мкм и толщиной 1 мкм составляет около 2 Ом/мм. Для контактных площадок, к которым в дальнейшем присоединяются внешние выводы, типичны размеры мкм. Присоединение внешних выводов непосредственно к полоскам металлизации невозможно из-за их малой ширины.

Разумеется, рисунок межсоединений предполагает отсутствие пересечение, т.е. коротких замыканий. Однако в ИС с высокой степенью интеграции не удается спроектировать металлическую разводку так, чтобы избежать пересечений. В этих случаях используется многослойная или многоуровневая разводка, т. е. несколько «этажей» металлизации, разделенных изолирующими слоями. Необходимые соединения между разными уровнями осуществляются через специальные окна в изолирующих слоях (рис. 6.19). Изоляцию между слоями обычно обеспечивают путем напыления диэлектрика по завершении очередной металлической разводки. В качестве диэлектрика чаще всего используют моноокись кремния . Количество «этажей» при многоуровневой металлизации для современных БИС лежит в пределах от двух до четырех.

Проблема омических контактов при использовании алюминия состоит в следующем. Если пленку алюминия просто напылить на поверхность кремния, то образуются барьеры Шоттки (см. 3.3), причем барьер на границе с –слоем является не омическим, а выпрямляющим. Чтобы избежать барьеров Шоттки, алюминий вжигают в кремний при температуре около 600°C, близкой к температуре эвтектики сплава . При такой температуре на границе алюминиевой пленки с кремнием образуется слой, в котором растворен практически весь прилегающий алюминий. После застывания сплав представляет собой кремний, легированный алюминием; концентрация последнего составляет около см-3.

Поскольку алюминий является акцептором по отношению к кремнию, возникает новая проблема: предотвращение образования –переходов в –слоях. Действительно, если концентрация доноров в –слое меньше см-3, то атомы алюминия создадут в нем припоповерхностный –слой. Чтобы этого избежать, область –слоя вблизи контакта специально легируют, превращая ее в –слой с концентрацией доноров 1020 см-3, и более (см. рис. 6.18). Тогда концентрация алюминия оказывается недостаточной для образования –слоя, и –переход не образуется.





Рис. 6.19. Многослойная металлическая разводка


Если n–слой с самого начала сильно легирован (например, эмиттерный слой транзистора), то дополнительного легирования не требуется. Не возникает проблем и при контакте алюминия с –слоями, так как растворение, в них алюминия приводит к образованию приповерхностных –слоев, что способствует повышению качества омического контакта.

^

6.10. Сборочные операции



После того как: все основные технологические этапы (включая металлизацию) за кончены, пластина, содержащая сотни ИС, разделяется на отдельные кристаллы.

Разделение осуществляется методом скрайбирования, т.е. процарапыванием вертикальных и горизонтальных рисок в промежутках между транзисторами (см. рис. 1.1 и 1.2). После скрайбирования пластину помещают на мягкую резиновую подушку и путем нажатия разламывают по рискам подобно тому, как стекольщик разламывает стекло по риске, нанесенной алмазным резцом. Годные кристаллы далее монтируются в корпусах.

Сборка кристалла в корпусе начинается с операции, которую называют посадкой на ножку (под ножкой имеют в виду дно корпуса).

При этом кристалл приклеивается или припаивается (легкоплавким припоем) в средней части ножки (на рис. 6.20 показан простой транзистор). Затем контактные площадки на кристалле соединяются со штырьками – выводами корпуса. Соединения осуществляются с помощью тонких (20–30 мкм) алюминиевых или золотых проволочек, которые одним концом закрепляются на контактных площадках, а другим на торцах штырьков.

Надежный электрический контакт между металлическими деталями (в данном случае контакт проволочек со штырьками и контактными площадками) может быть обеспечен разными методами.




Рис. 6.20. Монтаж кристалла на ножке корпуса


Наибольшее распространение в настоящее время имеет метод термокомпрессии, т. е. сочетание достаточного давления (прижатия деталей друг к другу) с повышенной температурой (200–300°C), способствующей, взаимной диффузии атомов из одной детали в другую.

Термокомпрессия, в свою очередь, реализуется в виде разных конструктивных вариантов. Два типичных примера показаны на рис. 6.21. На рис. 6.21, а используется клинообразный пуансон, который прижимает

проволочку к металлической поверхности в поперечном направлении; на проволочке образуется поперечный шов. На рис. 6.21, б используется пуансон, в котором проволочка проходит по его внутреннему каналу. У выхода из пуансона при отрезании проволочки пламенем газовой горелки образуется шарообразная капля (образование капли свойственно золотым проволочкам). Когда пуансон снова прижимается к металлической поверхности, капля расплющивается, и площадь контакта оказывается больше, чем поперечное сечение проволочки (термокомпрессия типа «шляпки гвоздя»). Затем пуансон поднимается и пропускает через себя отрезок проволочки, достаточный для присоединения к другой детали. После этого проволочка снова перерезается газовым пламенем. Операция термокомпрессии, если она осуществляется оператором, производится под микроскопом. Однако возможен и автоматический процесс.

По окончании монтажа кристалла на ножке следует корпусирование, т.е. окончательное внешнее оформление транзистора. Ножка корпуса соединяется с крышкой (рис. 6.20) путем горячей или холодной сварки (последняя по существу близка к термокомпрессии.






Рис. 6.21. Термокомпрессия:

а — клинообразный пуансон; б — капиллярный пуансон


Корпусирование предполагает также защиту кристалла от влияния внешней среды, поэтому его проводят либо в вакууме, либо в среде инертного газа (азот, аргон). Бескорпусные варианты транзисторов описаны в разд. 6.11.2.





Рис. 6.22. Типичные корпуса интегральных схем


Главная специфика сборочных операций применительно к интегральным схемам состоит в том, что корпуса ИС многовыводные: у простых ИС количество выводов составляет 8–14, а у больших ИС доходит до 64 и более. Номенклатура корпусов для ИС довольно разнообразна: наряду с круглым корпусом, похожим на транзисторный (см. рис. 6.20), используются прямоугольные корпуса: металлические или пластмассовые, с выводами, лежащими в плоскости корпуса или перпендикулярными ей (рис. 6.22). Выбор корпуса в значительной степени зависит от назначения аппаратуры и способов ее конструирования.

^

6.11. Технология тонкопленочных гибридных ИС



Согласно определению, приведенному в 1.2, гибридные ИС представляют собой совокупность пленочных пассивных элементов и навесных активных компонентов. Поэтому технологию тонкопленочных ГИС можно разбить на технологию тонкопленочных пассив­ных элементов и технологию монтажа активных компонентов.

^

6.11.1. Изготовление пассивных элементов



Тонкопленочные элементы ГИС осуществляются с помощью технологических методов, описанных в 6.8, т. е. путем локального (через маски) термического, катодного или ионно–плазменного напыления того или иного материала на диэлектрическую подложку.

В качестве масок длительное время использовались накладные металлические трафареты. Такие трафареты представляли собой тонкую биметаллическую фольгу с отверстиями – окнами. Основу трафарета составлял слой бериллиевой бронзы толщиной 100–150 мкм, к которому прилегал слой электрохимически нанесенного никеля толщиной 10–20 мкм, Последний определял размеры окон, т. е. рисунок трафарета, а слой бериллиевой бронзы выполнял роль несущей конструкции.

Серьезные недостатки металлических накладных трафаретов заключаются в том, что, во-первых, в процессе напыления пленок происходит напыление на сами трафареты, что меняет их толщину и постепенно приводит их негодность. Во-вторых, металлические трафареты мало пригодны при катодном и ионно-плазменном напылении, так как металл искажает электрическое поле и, следовательно, влияет на скорость напыления. Поэтому в последние годы от металлических накладных трафаретов практически отказались и используют для получения необходимого рисунка фотолитографию – метод заимствован из технологии полупроводниковых ИС.

Фотолитографию осуществляют следующим образом. На подложку наносят сплошные пленки необходимых материалов, например, резистивньй слой и поверх него – проводящий слой. Затем поверхность покрывают фоторезистом с помощью соответствующего фотошаблона создают в нем рисунок для проводящего слоя (например, для контактных площадок будущего резистора, 6.23, а). Через окна в фоторезистной маске проходит травление проводящего слоя, после чего фоторезист удаляют. В результате пока еще сплошной поверхности резистивного слоя получаются готовые контактные площадки (рис. 6.23, б). Снова наносят фоторезист и с помощью другого фотошаблона создают рисунок полоски резистора (рис. 6.23, в). Затем проводят травление, удаляют фоторезист и получают готовую конфигурацию резистора с контактными площадкам (рис. 6.23, г).

Конечно, важно, чтобы травитель, действующий на проводящий слой, не действовал на резистивный и наоборот. Имеется и еще ряд ограничений, которых мы не будем касаться. Заметим лишь, что с помощью фотолитографии не удается получать многослойные структуры типа конденсаторов. Однако это ограничение не очень существенно, так как в последнее время предпочитают использовать в ГИС навесные конденсаторы (ради экономии площади).

Для резистивных пленок чаще всего используют хром, нихром () и кермет из смеси хрома и моноокиси кремния (1:1). Метод напыления для этих материалов – термический (вакуумный) Омические контакты к резистивным пленкам (полоскам) осуществляются так, как показано на рис. 6.23.

Для обкладок конденсаторов используют алюминий, причем до напыления нижней обкладки (прилегающей к подложке) приходится предварительно напылять тонкий подслой из сплава , так как адгезия алюминия непосредственно с подложкой оказывается недостаточной.

Для диэлектрических слоев пленочных конденсаторов по совокупности требований (большая диэлектрическая проницаемость ξ, малый тангенс угла потерь , большая пробивная напряженность и др.) наибольшее распространение имеют моноокись кремния и моноокись германия . Особое место среди диэлектриков занимают окислы и , которые получают не методом напыления, а методом анодирования нижних металлических обкладок ( или ).

Для проводниковых пленок и омических контактов используют, как правило, либо золото с подслоем , либо медь с подслоем ванадия (назначение подслоев – улучшить адгезию с подложкой). Толщина проводящих пленок и контактных площадок обычно составляет 0,5–1 мкм. Размеры контактных площадок от мкм и более.







Рис. 6.23. Получение тонкопленочных резисторов методом фотолитографии:

а – фоторезистная маска (3) под рисунок проводящего слоя (2);

б – готовый рисунок проводящего слоя (2);

в – фоторезистная маска (3) под рисунок резистивного слоя (1);

г – готовый резистор с проводящими выводами


Толщина наносимых пленок контролируется в процессе напыления. Для этого используется несколько методов. Один из них, пригодный только в случае резистивных пленок, состоит в использовании так называемого свидетеля. Свидетель представляет собой вспомогательный (не входящий в структуру ГИС) слой, напыляемый одновременно с рабочими слоями, но расположенный на периферии подложки и снабженный двумя заранее предусмотренными внешними выводами. Через эти выводы осуществляется контроль сопротивления свидетеля в процессе напыления. Геометрия свидетеля известна. Поэтому, когда его сопротивление достигает значения, соответствующего необходимой толщине, напыление прекращают (перекрывают заслонку). Толщина рабочих слоев будет такой же, как у свидетеля, так как они напылялись в одинаковых условиях.

Другой способ контроля состоит в использовании в качестве свидетеля тонкой кварцевой пластины, которая через внешние выводы присоединена к колебательному контуру генератора колебаний. Как известно, кварцевая пластина обладает свойствами колебательного контура, причем резонансная частота однозначно связана с толщиной пластины. В процессе напыления толщина пластины меняется и меняется частота генератора. Изменения частоты легко измерить и остановить процесс напыления в нужный момент.

Подложки тонкопленочных ГИС должны прежде всего обладать хорошими изолирующими свойствами. Кроме того, желательны малая диэлектрическая проницаемость, высокая теплопроводность, достаточная механическая прочность. Температурный коэффициент расширения должен быть близким к температурным коэффициентам расширения используемых пленок. Типичные параметры подложек следующие: .

В настоящее время наибольшее распространение в качестве подложек имеют ситалл и керамика; стекло утратило свое первоначальное значение. Ситалл представляет собой кристаллическую разновидность стекла (обычной стекло аморфно), а керамика – смесь окислов в стекловидной и кристаллической фазах (главные составляющие и ).

Толщина подложек составляет 0,5–1 мм в зависимости от площади. Площадь подложек у ГИС значительно больше площади кристаллов у полупроводниковых ИС. Стандартные размеры подложек лежат в пределах от 12*10 до 48*30 мм. Требования к гладкости поверхности примерно такие же, как и в случае кремния: допустимая шероховатость не превышает 25*50 нм (класс шероховатости 12–14).

Обычно ГИС, как и полупроводниковые ИС, изготавливаются групповым методом на ситалловых или иных пластинах большой площади. По завершении основных технологических операций, связанных с получением пленочных пассивных элементов и металлической разводки, пластина разделяется на отдельные подложки. Это обычно осуществляют методом скрайбирования, как и в случае полупроводниковых ИС. После разделения подложек каждая из них снабжается навесными компонентами и заключается в корпус.

^

6.11.2. Монтаж навесных компонентов



В качестве навесных компонентов используются бескорпусные диоды и транзисторы. Простейшим вариантом бескорпусного транзистора является кристалл, полученный после скрайбирования, к трем контактным площадкам которого присоединены тонкие проволочные выводы и который защищен от внешней среды каплей эпоксидной смолы, обволакивающей кристалл со всех сторон. Такой транзистор приклеивается к подложке вблизи тех пленочных элементов, с которыми он должен быть соединен (рис. 1.5), после чего проволочные выводы транзистора методом термокомпрессии присоединяются к соответствующим контактным площадкам на подложке.

Имеется два других варианта бескорпусных транзисторов, монтаж которых осуществляется иначе. Первый вариант называют транзистором с шариковыми выводами (рис. 6.24, а). Шарики диаметром мкм связаны с контактными площадками транзистора, а через них – с тем или иным слоем кремния: эмиттерным, базовым или коллекторным. Материалом для шариков служат золото, медь или сплав . Из того же материала на диэлектрической подложке пленочной ГИС делаются контактные столбики высотой 10–15 мкм и диаметром 150–200мкм, расположенные в точном соответствии с расположением шариков на кристалле кремнии (рис. 6.24, б). Соединение шариков со столбиками осуществляется методом перевернутого монтажа (англ. термин flip-chip): кристалл транзистора переворачивается «вверх ногами», т. е. шариками вниз, и накладывается шариками на столбики подложки (рис. 6.24, в). Сочетая давление на кристалл с повышением температуры (т. е. в сущности используя термокомпрессию), обеспечивают прочное соединение шариков со столбиками. Как видим, метод перевернутого монтажа – групповой: за одну операцию получаются все три необходимых соединения. Количество соединений при таком монтаже вдвое меньше, чем при проволочном, а транзистор не требует специального места на подложке. Главная трудность состоит в совмещении шариков со столбиками, поскольку кристалл при наложении перевернут «вверх ногами» и закрывает от оператора места соединения.








Рис. 6.24. Монтаж бескорпусных транзисторов с шариковыми выводами:

а – транзистор с шариковыми выводами;

б – контактные столбики на подложке пленочной ИС;

в соединение шариков с контактными столбиками;

1 – контактные площадки на подложке выводы от них




Рис. 6.25. Бескорпусные транзисторы с балочными выводами:

а – транзистор с балочными выводами;

б получение балок и разделение транзисторов на пластине


Трудность совмещения контактных площадок кристалла и подложки облегчается при использовании второго варианта бескорпусных транзисторов – транзистора с балочными выводами (рис. 6.25, а). Здесь контактные площадки продлены за пределы кристалла и нависают над его краями на 100–150 мкм, откуда и название – балки. Толщина балок (10–15 мкм) значительно больше толщины металлической разводки на кристалле. Поэтому их получают не напылением, а электрохимическим суждением золота подслоем из титана. Длина балочных выводов 200–250 мкм включая выступ, а ширина такая же, как у обычных контактных площадок (50 –200 мкм).

Получение балок основано на сквозном травлении кремния через фоторезистную маску, нанесенную на нижнюю поверхность пластины (рис. 6.25, б). При сквозном травлении одновременно с получением балок достигается разделение пластины на отдельные кристаллы без механического скрайбирования. До начала травления пластина приклеивается верхней (лицевой) поверхностью к стеклу. Чтобы сократить время травления и избежать бокового растравливания пластины, ее (после приклеивания к стеклу) сошлифовывают от обычной толщины 200–300мкм до 50 мкм. По окончании травления клей растворяют и разделенные кристаллы отпадают от стекла.

Монтаж навесных компонентов с балочными выводами может осуществляться так же, как и в случае шариковых выводов – методом перевернутого монтажа. При этом выступающие балки хорошо видны и их совмещение с контактными площадками на подложке не представляет затруднений. Можно монтировать кристалл и «лицом вверх», но тогда в подложке следует предусмотреть углубление для кристалла.

Несмотря на то, что изготовление шариковых и балочных выводов сложнее и дороже, чем проволочных, они обеспечивают существенное упрощение и удешевление сборочных операций (самых дорогих в технологическом цикле), а также заметное повышение процента выхода годных ИС и их надежности.

^

6.12. Технология толстопленочных гибридных ИС



Пассивные элементы толстопленочных ГИС получаются локальным нанесением на подложку полужидких пастстеклоэмалей с последующим их высушиванием и вжиганием в подложку. Следовательно, в данном случае пленки приобретают свою толщину сразу, а не постепенно – слой за слоем – как при тонкопленочной технологии.

Последовательность технологических операций при нанесении толстых пленок следующая:

а) нанесение слоя пасты на подложку через маску – накладной трафарет (отсюда название – метод трафаретной печати);

б) выжигание (испарение) растворителя при температуре 300–400°C и тем самым превращение пасты из полужидкого состояния в твердое;

в) вжигание затвердевшего вещества пасты в подложку – спекание – при температуре 500-700°C (в зависимости от состава пасты).

Операция вжигания – самая ответственная в технологическом цикле; она требует высокой стабилизации температуры: с точностью ±1°С.

В основе всех паст–стеклоэмалей лежит так называемая фритта – тончайший порошок стекла, к которому, в зависимости от назначения пасты, примешивается порошок резистивного, проводящего или диэлектрического материала. Дисперсная (т. е. совершенно однородная) смесь фритты и примесного материала приобретает вязкость при добавлении специальных органических веществ и растворителей. На этапе выжигания (см. выше) растворитель испаряется, а органические вещества связывают частицы порошка в единую компактную массу.

Для проводящих паст примесью обычно служит серебро или золото, для резистивных – смесь серебра и палладия (1:1), а для диэлектрических – титанат бария с высокой диэлектрической проницаемостью. Варьируя материал и процентное содержание примесей, можно варьировать электрические параметры пленок в очень широких пределах (см. 7.11).

Масками для нанесения паст на подложку служат сетчатые трафареты (рис. 6.26, а). Они представляют собой тонкую сетку из капрона или нержавеющей стали, натянутую на дно рамки. Размер ячеек сетки – около 100 мкм, диаметр нитей – около 50 мкм. Большая часть сетки покрыта пленкой, но в пленке имеются окна. Рисунок окон получают методом фотолитографии, вытравливая отверстия в пленке. Учитывая ячеистую структуру сетки, размеры окон трудно сделать менее 10–200 мкм.



Рис. 6.23. Метод локального нанесения пасты:

а – сетчатый трафарет; б – продавливание пасты через трафарет;

1 – ракель; 2 – сетка; 3 – подложка; 4 – паста


Это предопределяет минимальные размеры элементов толстопленочных ГИС и ширину линий.

Рамка с трафаретом заполняется пастой и размещается над подложкой на расстоянии 0,5–1 мм. После этого па сетку опускается специальный нож – ракель, который, перемещаясь вдоль рамки, продавливает пасту через отверстия в сетке (рис. 6.26, б). Несмотря на простоту идеи продавливания, эта операция – прецизионная; на качество будущей пленки и повторяемость результатов оказывают влияние угол заточки ракеля, его наклон относительно подложки, скорость перемещения и другие факторы.

Вообще говоря, сетка на трафарете не обязательна: можно продавливать пасту и через сплошные отверстия. Однако качество пленок при этом хуже, так как сетка обеспечивает более однородные слои в результате слияния отдельных «капель», прошедших через ячейки сетки. Толщина получаемых пленок зависит от диаметра нитей и размеров ячеек. Обычно она составляет 20–40 мкм.

Исходным материалом для сеток был шелк и потому методику нанесения паст через сетчатые трафареты часто называли шелкографией.

К подложкам для толстопленочных ГИС предъявляются в общем те же требования, что и для тонкопленочных. Особое внимание часто уделяется повышенной теплопроводности, так как толстопленочный вариант ГИС характерен для мощных схем. Поэтому распространены высокоглиноземистые керамики (96% ) и бериллиевые керамики (99,5% ); последние в 7–10 раз превышают глиноземистые по теплопроводности, но уступают им по прочности. Важная отличительная особенность подложек для толстопленочных ГИС состоит в том, что их поверхность должна быть достаточно шероховатой, чтобы обеспечить необходимую адгезию с веществом пасты. Степень шероховатости характеризуется неровностями до 1–2 мкм.

Методы монтажа навесных компонентов те же, что и у тонкопленочных ГИС, но размеры контактных площадок делают больше: мкм.

В целом толстоплёночная технология характерна простотой и низкой стоимостью ИС. Однако по сравнению с тонкопленочной технологией плотность компоновки оказывается меньше (из–за большей ширины линий), а разброс параметров – больше (из–за неконтролируемой толщины пленок).

ЛИТЕРАТУРА



Основная литература


1. Достанко А. П. Технология интегральных схем. – Мн.: Вышэйшая школа, 1982. – 207 с.


2. Парфенов О. Д. Технология микросхем. – М.: Высшая школа, 1986. – 320 с.


3. Аваев Н. А., Наумов Ю. Ф., Фролкин В. Т. Основы микроэлектроники. – М.: Радиосвязь, 1991.


4. Гурский Л. И., Степанец В. Я. Проектирование микросхем. – Мн.: Н-ка i тэх-ка, 1991. – 295 с.


5. Маршрутная технология производства кристаллов СБИС. Методическое пособие / Под общей ред. проф. А. П. Достанко. Часть I. – Мн.: – 1994 – 23 с.; Часть II. – Мн.: – 1994 – 28 с.; Часть III. – Мн.: – 1995. – 33 с.; Часть IV. – Мн.: – 2000. – 24 с.


6. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. – М.: Высшая школа, 1973.


7. Физическое металловедение / Под редакцией Кана Р., вып. 2. Фазовые превращения. Металлография. – М.: Мир, 1968.


Дополнительная литература


8. Болтакс Б. И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. – М.: Наука, 1972. – 430 с.


9. Курносов А. И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – М.: Высшая школа, 1980. – 450 с.


10. Чистяков Ю. Д., Райкова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. –М.: Металлургия, 1979. – 230 с.


11. Гурский Л. И., Румак Н. В., Куксо В. В. Зарядовые свойства МОП-структур. – Мн.: Наука и техника, 1980. – 200 с.


12. Достанко А. П., Грушецкий С. В., Киселевский Л. И., Пикуль М. И., Ширипов В. Я. Плазменная металлизация в вакууме. - Мн.: Наука и техника, 1983. – 279 с.


13. Гурский Л. И., Зеленин В. А., Жебин А. П., Вахрин Г. Л. Структура, топология и свойства тонкопленочных резисторов. - Мн.: Наука и техника, 1987. – 369 с.
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14



Скачать файл (17097.2 kb.)

Поиск по сайту:  

© gendocs.ru
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации
Рейтинг@Mail.ru