Logo GenDocs.ru

Поиск по сайту:  


Загрузка...

Содержание
1. Физическая природа свойств твёрдых тел 1.1. Основные материалы микроэлектроники
2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
2.1. Типы фазовых диаграмм
2.2. Системы, имеющие важное значение в микроэлектронике
2.3. Твердая растворимость
2.5. Фазовые переходы
Фазовые переходы второго рода.
Химическое равновесие
2.6. Термодинамические диаграммы
Внутренняя энергия
Первый закон термодинамики.
Второй закон термодинамики
S. Энтропией называется функция S
2.6.1. Диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
2.6.3. Международная система единиц СИ (метр, килограмм, секунда, градус, Кельвин, моль)
T, независимо от соотношения компонентов A
2.6.4. Метод построения диаграмм состояния
MNO, называемой кривой ликвидуса, сплавы различного состава находятся в жидком состоянии. При температурах ниже кривой MPO
MNOP система представляет собой смесь жидкой и твердой фаз, находящимся в равновесии друг с другом. В области MNOP
2.6.5. Системы с ограниченной взаимной растворимостью компонентов в твердом состоянии
E называют эвтектическим. Жидкость этого состава кристаллизуется при эвтектической температуре T
3. Структура твердотельных интегральных микросхем 3.1. Введение
Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы.
Гибридная пленочная интегральная микросхема —
Совмещенная интегральная микросхема
Степень интеграции.
Факторы, ограничивающие степень интеграции.
3.2. Технология полупроводниковых интегральных микросхем
Первая группа
Вторая группа
Типы структур ИМС.
Требования к кремниевым пластинам.
Базовый срез
Схема технологического процесса.
Зондовый контроль
Производственная гигиена
1 — лампы освещения; 2
Защитные газы
4. Диффузионные процессы в твердых телах 4.1. Введение
4.2. Законы диффузии
D – коэффициент диффузии, численно измеряемый массой вещества, диффундирующего через площадку за время t
S=1, перпендикулярной направлению Х
С, зависящей от координат, называется вектор, характеризующий быстроту изменения этой величины в пространстве: Если концентрация
Х, так мы предположим что частную производную можно заменить на полную Grad
4.3. Основы кинетической теории газов
4.4. Диффузия как двухстадийный процесс
Q в течении всего диффузионного процесса сохраняется постоянным, т. е. в слое толщиной h
D2 – коэффициент диффузии на второй стадии диффузионного процесса – загонке; Q
4.5. Диффузия в гетерогенном твердом теле
4.6. Техника проведения процессов диффузии
4.6.1. Диффузия из газовой фазы
Т; – постоянная, характеризующая систему; R
4.6.2. Диффузия из жидкой фазы
4.6.3. Диффузия из твердой фазы
4.7. Способы проведения диффузии
5. Основы ионного легирования
5.1. Понятие о технологии ионного легирования
А – область, в которой распределение имеет такой же вид, как и в аморфной мишени. Б
5.2. Оборудование для ионного легирования
5.3. Длина пробега ионов
N – среднее количество атомов в единице объема мишени; S
Q – поверхностная плотность внедряемых примесных ионов, определяемая дозой облучения D
5.6. Синтез веществ с помощью ионного легирования
GaAsP образец облучать светом со стороны легированного P
5.7. Отжиг легированных слоев
6. Технологические основы микроэлектроники 6.1. Введение
6.2. Подготовительные операции
6.4. Термическое окисление
6.5.1. Способы диффузии
6.5.2. Теоретические основы диффузии
2–е граничное условие
Случай ограниченного источника примеси
6.5.3. Ионная имплантация
6.7. Техника масок
8.7.3. Новые решения и тенденции
6.8. Нанесение тонких пленок
6.8.1. Термическое (вакуумное) напыление
6.8.2. Катодное напыление
6.8.3. Ионно–плазменное напыление
6.8.5. Электрохимическое осаждение
6.10. Сборочные операции
6.11. Технология тонкопленочных гибридных ИС
6.11.1. Изготовление пассивных элементов
6.11.2. Монтаж навесных компонентов
6.12. Технология толстопленочных гибридных ИС

Поиск по сайту:  

© gendocs.ru
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации
Рейтинг@Mail.ru