Logo GenDocs.ru

Поиск по сайту:  


Загрузка...

Тесты по химии твердого тела - файл 1.docx


Тесты по химии твердого тела
скачать (34.8 kb.)

Доступные файлы (1):

1.docx35kb.17.11.2011 18:36скачать

Загрузка...

1.docx

Реклама MarketGid:
Загрузка...
Тесты по ХТТ

Во всех вопросах правильный ответ А.

1)Из скольких фаз могут быть получены монокристаллы?

А)3 В)2 С)1 D)4 Е)5

2)Укажите методы получения монокристаллов?

1)метод Чохральского 3)метод Стокбаргера

2)метод Бриджмена

А)1,2,3 В) только 1 С) только 2 D) только 3 Е)1,2

3)Скорость вытягивания затравки в методе Чохральского колеблется

А) от 2-х до 4-х см/ч В) от 2-х до 4-х мм/ч С) от 2-х до 5 мм/ч

D) от 2-х до 5 см/ч Е) от 2-х до 10 см/ч

4)Кристалл какого состава применяется в качестве рабочего кристалла в лазерах?

А) Са(NbO3)2 B) CaBrO3 C) CaPrO3 D) Ca(PrO2)2 E) CaJO3

5)Что из перечисленного не верно?

А) в методе Бриджмена вырастает только один кристалл

В) в методе Чохральского при вытягивании кристалла расплав и кристалл вращают в противоположных направлениях

С) в методе Бриджмена кристаллизация вещества возникает в нескольких точках

D) в методе Бриджмена возникает несколько центров кристаллизации

Е) метод Чохральского широко применяется для получения полупроводников

6)Укажите различие между методом Чохральского и Стокбаргера?

А) в методе Стокбаргера кристаллизация осуществляется в наиболее холодной части расплава

В) метод Стокбаргера основан на кристаллизации расплава

С) метод Чохральского основан на кристаллизации расплава

D) метод Стокбаргера наиболее распространенный метод монокристаллизации, особенно теллуридов и арсенидов

Е) метод Чохральского основан на кристаллизации раствора



7) Скорость вытягивания затравки в методе Бриджмена колеблется

А) от 2-х до 5 мм/ч В) от 2-х до 4-х мм/ч С) от 2-х до 5 см/ч

D) от 2-х до 4-х см/ч Е) от 2-х до 10 см/ч

8)Чем отличается метод Чохральского от метода кристаллизации из растворов в расплаве?

А) при кристаллизации из растворов состав получаемых кристаллов отличается от состава раствора

В) в методе Чохральского состав получаемых кристаллов отличается от состава раствора

С) метод Чохральского основан на кристаллизации раствора

D) в методе Чохральского кристаллизация осуществляется в наиболее холодной части расплава

Е) это один и тот же метод

9)Из чего получают кристаллы различных силикатов с высокими температурами плавления?

А) из растворов легкоплавких боратов

В) из растворов фосфатов

С) из растворов алюминатов

D) из тугоплавких селенатов

Е) из легкоплавких молибденитов

10)Какую роль выполняет флюс при кристаллизации из растворов в расплаве?

А) понижает температуру плавления основного кристаллического продукта

В) повышает плотность основного кристаллического продукта

С) понижает интенсивность кристаллообразования

D) повышает дипольный момент основного кристаллического продукта

Е) никакую

11)Что из перечисленного не верно?

А) структура цеолитов не содержит пустот

В) образование кристаллических продуктов из растворов, гелей протекает при более низких температурах, чем при твердофазном синтезе



С) кристаллизация из водных растворов применяется для получения кристаллогидратов

D) гель, раствор характеризуется однородностью

Е) цеолиты используются в качестве молекулярных сит и катализаторов

12)Укажите исходные продукты при получении цеолитов?

А) метасиликаты и метаалюминаты щелочных металлов

В) ортофосфаты и сульфаты свинца

С) карбонаты и ортофосфаты щелочных металлов

D) гидроксиды и селенаты щелочных металлов

Е) сульфиды и селенаты алюминия

13)В результате сополимеризации метасиликат и метаалюминат ионов образуется?

А) гель В) раствор С) расплав D)стекло Е) ничего

14)Что из перечисленного не верно?

А) для появления большого количества кристаллов при получении цеолитов необходима низкая степень пресыщения растворов геля

В) при получении цеолитов в качестве исходных веществ следует брать аморфные осадки

С) при получении цеолитов в геле следует поддерживать высокую щелочную среду

D) гидротермальная обработка гелей приводит к кристаллизации цеолитов

Е) кристаллизацию геля при получении цеолитов проводят в гидротермальных условиях

15)Что общего между кристаллизацией из растворов и кристаллизацией из расплавов?

1)совместное плавление исходных твердых веществ способствует высокой степени гомогенизации

2) при охлаждении раствора и расплава происходит образование и рост кристаллов

3) температурный диапазон

А)1,2 В)1,3 С)1,2,3 D)только 1 Е) только 3

16) Укажите различие между кристаллизацией из растворов и кристаллизацией из расплавов?

1)совместное плавление исходных твердых веществ способствует высокой степени гомогенизации

2) при охлаждении раствора и расплава происходит образование и рост кристаллов



3) температурный диапазон

А) только 3 В)1,3 С)1,2,3 D)только 1 Е)1,2

17)Дана диаграмма состояния простой бинарной системы типа АВ с эвтектикой. Укажите линию Ликвидуса.

А)TAM B)MTd C)TFM D)TFTd E)TATF

18) Дана диаграмма состояния простой бинарной системы типа АВ с эвтектикой(использовать диаграмму из предыдущего вопроса). Укажите линию Солидуса.

А) TFTd B)MTd C)TFM D)TАM E)TATF

19)Дана термограмма образования Li2Si2O5.Укажите какой процесс протекает в интервале температур 450-500?



А) стеклование B) кристаллизация C) плавление D)сублимация E) десублимация

20) Дана термограмма образования Li2Si2O5(использовать термограмму из предыдущего вопроса).Укажите какой процесс протекает в интервале температур 500-700?

А) кристаллизация B) стеклование C) плавление D)сублимация E) десублимация

21)На сколько групп делятся методы получения тонкослойных покрытий и пленок?

А)2 В)3 С)1 D)4 Е)5

22)Укажите химические и электрохимические методы получения тонкослойных покрытий и пленок?

1)катодные покрытия 4)катодное распыление

2)анодное оксидирование 5)испарение в вакууме

3)химическое разложение паров

А)1,2,3 В)2,3,4 С)3,4,5 D)4,5 Е)3,5

23) Укажите физические методы получения тонкослойных покрытий и пленок?

1)катодные покрытия 4)катодное распыление



2)анодное оксидирование 5)испарение в вакууме

3)химическое разложение паров

А)4,5 В)2,3,4 С)3,4,5 D)1,2,3 Е)3,5

24)В каком методе происходит перенесение анода на катод?

А) катодные покрытия D) катодное распыление

В) анодное оксидирование Е) испарение в вакууме

С) химическое разложение паров

25)Что из перечисленного верно?

А) достигаемое равновесное значение толщины оксидного слоя при анодном оксидировании зависит от величины напряжения

В) при анодном оксидировании металлический анод погружается в раствор соли не кислородсодержащих кислот

С) при увеличении напряжения рост оксидного слоя на поверхности данного металла при анодном оксидировании уменьшается

D) обработка некоторых металлов в атмосфере аммиака приводит к образованию на поверхности металла тонкого слоя гидрида данного металла

Е) взаимодействие титана с аммиаком с образованием нитрида титана(3) протекает при очень низкой температуре

26)Продукты какой реакции указаны не верно?

А)Ti+NH3=Ti3N4+H2

B) SiY2=SiY4+Si

C) Si(C2H5)4+O2=SiO2+CO2+H2O

D) GeH4=Ge+H2

E) SiH4=Si+H2

27)Какое напряжение возникает в инертных газах при катодном распылении?

1)тлеющий 2)коронный 3)дуговой

А) только 1 В) только 2 С) только 3 D)1,2 Е)2,3

28)Какой из перечисленных методов наиболее простой и имеет наибольшее распространение?



А) испарение в вакууме D) катодное распыление

В) анодное оксидирование Е) катодные покрытия

С) химическое разложение паров

29)Какие металлы могут быть использованы в качестве материала контейнера испарителя?

1) Ta 2)W 3)Mo

А)1,2,3 В)1,2 С)2,3 D) только 1 Е) только 2

30) Что из перечисленного не верно?

А) при получении тонкослойных покрытий методом испарения в вакууме чистота поверхности подложки не обязательна

В) давление внутри вакуумной установки для получения тонкослойных покрытий катодного распыления составляет 10-100 Па

С) материал контейнера испарителя инертен к помещенному в него испаряемому веществу

D) подложка для пленок, применяемых в электронике, должна быть изолятором

Е) давление внутри вакуумной камеры для получения тонкослойных покрытий методом испарения ≤10 Па


Скачать файл (34.8 kb.)

Поиск по сайту:  

© gendocs.ru
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации
Рейтинг@Mail.ru