Лабораторная работа - Исследование фотоэлектрических свойств полупроводников
скачать (174.5 kb.)
Доступные файлы (1):
| 1.doc | 175kb. | 15.12.2011 13:48 |  скачать |
содержание
- Смотрите также:
- «исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов» [ документ ]
- Исследование свойств ферромагнитных материалов [ лабораторная работа ]
- Зависимость электросопротивления металлов и полупроводников от температуры [ документ ]
- Исследование электропроводности проводниковых материалов [ лабораторная работа ]
- Исследование свойств симметричного вибратора методом компьютерного моделирования [ лабораторная работа ]
- Кузьмичева Г.М. Структурная обусловленность свойств. Часть 2. Кристаллохимия полупроводников. Кристаллохимия сверхпроводников [ документ ]
- №2 Исследование свойств литьевых изделий из термопластичных материалов [ документ ]
- Исследование динамических свойств типовых звеньев систем автоматического управления [ документ ]
- №1 [ лабораторная работа ]
- № Исследование свойств фотоэлемента [ документ ]
- Дипломная работа - Синтез и исследование функциональных свойств комплексных полифункциональных присадок [ документ ]
- Лабораторная работа№1-исследование режимов работы линий передачи. Лабораторная работа№2-измерение параметров емкостной и индуктивной диафрагм [ лабораторная работа ]
1.doc
НГТУЛабораторная работа №4.
"Исследование фотоэлектрических свойств полупроводников"
Работу выполнили:
Студент группы
Работу проверил
преподаватель:
2010 г.
Цель работы:
Изучение фотоэлектрической зависимости электропроводимости полупроводников методом экспериментального исследования вольтамперных и люксамперных характеристик фоторезисторов.
Схема измерительной установки:
^
| U2=25В | |||||||||||
| Uф , В | 0 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 | 35 | 40 | 45 | 50 |
| Jф , мА | 0 | 0,1 | 0,3 | 0,6 | 0,9 | 1,3 | 1,7 | 2 | 2,5 | 3 | 3,3 |
График семейств вольтамперных характеристик:
^
| Параметр | V1=10 В | |||||
| V2 , В | 0 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 |
| J люкс | 0 | 10 | 20 | 85 | 170 | 280 |
| Jф , мА | 0 | 0,04 | 0,28 | 0,71 | 1,2 | 1,9 |
| Параметр | V1=20 В | |||||
| V2 , В | 0 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 |
| J люкс | 0 | 10 | 20 | 85 | 170 | 280 |
| Jф , мА | 0 | 0,09 | 0,67 | 1,9 | 3,2 | 4,4 |
| Параметр | V1=30 В | |||||
| V2 , В | 0 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 |
| J люкс | 0 | 10 | 20 | 85 | 170 | 280 |
| Jф , мА | 0 | 0,13 | 1,2 | 3,0 | 5,1 | 7,2 |
График семейств люксамперных характеристик:
Вывод:
В данной лабораторной работе мы исследовали фотоэлектрические свойства полупроводников. Проведя лабораторную работу, мы построили вольтамперную и люксамперную характеристики полупроводников. Экспериментальные данные близки к теоретическим.
Полученная вольтамперная характеристика линейна только на начальном участке, то есть в области слабых полей. В области сильных полей характеристика становится не линейной из-за насыщения дрейфовой скорости электронов, приближения длинны свободного пробега к расстоянию между электродами. Так как при малой освещенности имеет место низкий уровень инжекции, то люксамперная характеристика в начальный момент линейна. Так как при низком уровне инжекции Vpn. При повышении уровня люксамперная характеристика становится не линейна. Так как скорость рекомбинации при высоком уровне инжекции Vpn2.
Скачать файл (174.5 kb.)