Logo GenDocs.ru

Поиск по сайту:  

Загрузка...

Выполнить до 28. 02. 2020! Тест по Электронике Полупроводниковые приборы - файл


скачать (48.2 kb.)


Выполнить до 28.02.2020!

Тест по Электронике

Полупроводниковые приборы
1.Простейший диод ─ это

а) один p-nпереход

б) два p-nперехода+

в) триp-nперехода


2.У плоскостных диодов сопротивление в прямосмещенном состоянии

а) такое же,как у точечного диода

б) больше, чем у точечных диодов

в)меньше, чем у точечных диодов
3.Кремниевый стабилитрон предназначен для

а) преобразования переменного напряжения в постоянное

б) преобразования постоянного напряжения в переменное

в) преобразования высокочастотного сигнала в низкочастотный

г) стабилизации постоянного напряжения

д) стабилизации переменного напряжения

4.В основу работы опорного диода положено явление

а) фотоэлектронной эмиссии и управляемый электрический

пробой в p-n переходе



б) холодной эмиссии и управляемый тепловой пробой в p-n переходе

в) холодной эмиссии и управляемый электрический пробой в p-n переходе

г) холодной эмиссии и управляемый туннельный пробой в p-n переходе
5.При проектировании электронных устройств на полупроводниковых

кремниевых диодах можно не учитывать

а) тепловой ток

б) ток термогенерации

в) ток рекомбинации

г) диффузионный ток

6.Принципиальное отличие транзистора структуры n-p-n отструктуры p-n-p определяется типом

а) носителей

б) количеством p-n-переходов

в) источников питания

г) проводимости

7.В транзисторах n-p-n-структуры основными носителями являются

а) дырки

б) электроны

в) позитроны

г) нейтроны
8.В транзисторах p-n-p структуры основными носителями являются

а)нейтроны

б)электроны

в)позитроны

г) дырки

9.Чтобы ток базы был наименьшим, еёделают

а)тонкой и сильно легируют примесью

б)массивной и сильно легируют примесью

в)тонкой и слабо легируют примесью

г)массивной и слабо легируют примесью
10.Коллекторный переход (КП) обычно делают более массивным, чем

эмиттерный, потому что

а)коллекторный ток самый большой в транзисторе

б) через КП течёт ток примерно равный току эмиттера, но он течёт через

большое сопротивление обратно смещенного КП и под действием напряжения большего, чем на ЭП



в) через КП текут токи неосновных носителей, за счёт которых сильно

возрастает мощность, рассеиваемая на р- n -переходе



11.В основу классификации схем включения транзистора положен тот

электрод, который будет

а)расположенна входе усилителя

б)расположенна выходе усилителя

в)общим для входной и выходной цепей

г) под положительным потенциалом относительно земли

д)под отрицательным потенциалом относительно земли

12.Схема на транзисторе с ОЭ ─ это схема

а)с базовым управлением

б) с коллекторным управлением

в) с эмиттерным управлением

13.Лучшими усилительными свойствами по току обладает схема

а) ОЭб) ОБв)ОК
14.Усилительные свойства транзистора по току можно оценить статическим параметром

а)h11б)h22в)1/h22г)h12д)h21
15.Тиристор-это

а) один p-n переход

б) два p-n перехода

в) триp-nперехода

г) три и болееp-n переходов
16.Полупровдниковый прибор с тремя электродами и тремя p-n-переходами называется

а)симистор

б) тринистор

в) динистор
17.Номинальные значения тока в открытом и напряжения в закрытом состояниях тиристоров достигают
а)5 кА и 5кВ

б)5А и 5В

в)5МА и 5МВ

г) 50кА и 50кВ
18.Изменение ёмкостиp-n-перехода в зависимости от приложенного к нему напряжения используется
а)втерморезисторах

б) вфотодиодах

в) в варикапах
19.Приборы, способные работать в качестве источников и приёмников излучения относятся
а)к термоэлектронным

б)к оптоэлектронным

в)к вакуумным
20.Работа фотоэлектронных приборов основана
а)на явлении генерации избыточных пар носителей заряда под действием излучения

б) на изменении ёмкостиp-n-перехода в зависимости от приложенного напряжения

в) на явлении взаимодействия двух близко расположенныхp-n-переходов


Скачать файл (48.2 kb.)

Поиск по сайту:  

© gendocs.ru
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации